[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

第1检测电路，检测供给电压下降到一定电压；

第2检测电路，具有比该第1检测电路还高的检测精度，检测该供给电压下降到该一定电压；

选择装置，在内部电路为运作状态时，选择该第2检测电路，在该内部电路为待机状态时，选择该第1检测电路；以及

执行装置，响应该第1检测电路或该第2检测电路的检测结果，执行电源切断运作；

该第1检测电路以及该第2检测电路检测的电平，比电源开启检测电路检测的电平还低，且比互补式金属氧化物半导体运作的电平还高。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该第2检测电路，包含：

基准电压产生电路，产生基准电压；以及

比较电路，比较该基准电压以及电源电压；

其中，该第1检测电路，不包含该基准电压产生电路。

3.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于，该运作状态，包含该内部电路运作是基于来自外部的指令的状态；

其中，该待机状态，包含受理来自外部的指令的状态。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该运作状态，为闪存的忙碌状态；

其中，该待机状态，为闪存的预备状态。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，该忙碌状态，是根据来自于外部端子所输出的忙碌信号而规定；

其中，该预备状态，是根据来自于外部端子所输出的预备信号而规定。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该选择装置，在该内部电路为运作状态，且执行事先决定的特定运作时，选择该第2检测电路。

7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，该选择装置，响应有关控制器执行的该特定运作的命令码，选择该第2检测电路。

8.如权利要求6或7所述的半导体存储装置，其特征在于，该特定运作，为电荷泵电路的运作。

9.如权利要求6或7所述的半导体存储装置，其特征在于，该特定运作，为执行存储器阵列的选择页的读取时的位线的预充电运作。