[发明专利]一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构在审
| 申请号： | 202010373328.3 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111430465A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 吴汪然;汤鹏宇;钱逸文;杨兰兰;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 金属 氧化物 半导体器件 栅极 引入 应力 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构，包括：N型漏极(1)，在其上为N型外延层(2)，在N型外延层中设有氧化物埋层(3)，在氧埋层中设有源极多晶硅埋层(4)，在氧埋层上设有多晶硅栅极(5)，在多晶硅栅极中间设有氮化硅应力层(6)，在栅极两侧设有P型沟道区(7)和N型源极区(8),以及栅极氧化层(10)，在器件上表面有源极区金属接触(9)。
2.根据权利要求1所述的一种N型槽栅VDMOS栅极引入应力的结构，其特征在于，解决了现有专利无法在垂直槽栅器件施加有效应力的问题。通过优化现有工艺，在N型槽栅VDMOS栅极处淀积氮化硅应力材料，成功地提升了器件的电学性能，在击穿电压几乎不变的情况下，有效降低导通电阻。
3.根据权利要求1所述的一种N型槽栅VDMOS栅极引入应力的结构，其特征在于，氮化硅应力层两侧的边界应平行于器件的沟道，以便最大程度上将应力施加在沟道处。
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