[发明专利]一种改进型ALD镀膜机

说明书

本发明适用于原子层镀膜领域，具体是一种改进型ALD镀膜机，包括在内部安装有拿持结构的传送放置通道，和多个放置腔体；其中，所述拿持结构可对位于传送放置通道内部的晶圆拿持取放到多个放置腔体内部的盒体中；还包括多个ALD反应器；进而，拿持结构对位于传送放置通道内部的晶圆拿持取放到多个放置腔体内部的盒体中，并利用盒体可对盒体及晶圆进行翻转，移动到ALD反应器中进行单原子层沉积工艺反应，进行镀膜；以及多个放置腔体和多个ALD反应器可同时进行多个晶圆镀膜，效率得以提高；可对多个ALD反应器做不同的介电常数材料的生长，实现了多种材料工艺交替的镀膜处理，无需更换生产线，提高效率的基础上节省生产线的成本。

技术领域

本发明属于原子层镀膜领域，具体是一种改进型ALD镀膜机。

背景技术

目前空间ALD（atomic layer deposition，单原子层沉积）机台普遍体积较大，且结构复杂，多片工艺的ALD机台设计如：Picosun （芬兰ALD设备供应商）都是利用金属cassette（晶圆装载盒）的方法，这种方法会导致运送晶圆十分复杂，而且不稳定，手动取片比较多，如果使用自动化的方法，经常出现掉片的现象；ASM（美国ALD设备供应商）及TEL（日本ALD设备供应商）的多片式ALD炉子方法所使用气体及前驱体使用效率低，会造成巨大的浪费。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改进型ALD镀膜机，以解决目前市场上的ALD机台效率低的的问题。本发明提供如下技术方案：

一种改进型ALD镀膜机，包括在内部安装有拿持结构的传送放置通道，和多个放置腔体；

其中，所述拿持结构可对位于传送放置通道内部的晶圆拿持取放到多个放置腔体内部的盒体中，营造真空环境后可对盒体及晶圆进行翻转；

还包括多个ALD反应器，而放置腔体内部的晶圆移动到ALD反应器中进行单原子层沉积工艺反应；

进而，拿持结构对位于传送放置通道内部的晶圆拿持取放到多个放置腔体内部的盒体中，营造真空环境后对盒体及晶圆进行翻转并移动到ALD反应器中进行单原子层沉积工艺反应，进行镀膜；以及多个放置腔体和多个ALD反应器可同时进行多个晶圆镀膜，效率得以提高；同时，可对多个ALD反应器做不同的介电常数材料的生长，实现了多种材料工艺交替的镀膜处理，无需更换生产线，提高效率的基础上节省生产线的成本。

本发明中：所述拿持结构包括机械手，以用晶圆取放。

再进一步的方案：所述拿持结构还包括机械人，机械手安装在机器人上，并利用机械手对可对位于传送放置通道内部的晶圆拿持取放到多个放置腔体内部的盒体中。

本发明中：所述放置腔体内部盒体及晶圆进行50-120度的翻转。

再进一步的方案：所述放置腔体内部盒体及晶圆进行90度的翻转。

本发明中：多个所述放置腔体为独立设置，并连通到ALD反应器，以用晶圆移动调整。

本发明中：多个所述ALD反应器为分开设置，用以分开完成镀膜。

本发明中：所述改进型ALD镀膜机，还包括翻转升降机构，所述翻转升降机构设置在放置腔体内部，并完成将放置腔体内部的晶圆移动到ALD反应器中进行单原子层沉积工艺反应。

本发明中：所述传送放置通道上设置有多个用于放置晶圆的装载盒。

本发明中：所述放置腔体内部安装有用于形成真空的抽真空设备。