[发明专利]功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括有源区和终端区，所述有源区和所述终端区均具有衬底，所述终端区环绕所述有源区设置，其特征在于，所述终端区包括：

多个第一场板，位于所述衬底上，各所述第一场板沿由所述有源区到所述终端区的方向间隔设置，且相邻各所述第一场板具有相等的第一间距，所述第一间距为0.1～8μm。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述终端区还包括：

场隔离结构，位于所述衬底与所述第一场板之间；

场限环，位于所述衬底中并环绕所述有源区设置，且所述场限环与所述场隔离结构接触设置。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，

在由所述有源区到所述终端区的方向上，所述场限环的掺杂浓度递减；或者

在由所述有源区到所述终端区的方向上，所述场限环与所述衬底之间形成的PN结结深递减；或者

在由所述有源区到所述终端区的方向上，所述场限环的掺杂浓度递减，且所述场限环与所述衬底之间形成的PN结结深递减。

4.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述场限环为多个，在由所述有源区到所述终端区的方向上，各所述场限环间隔设置于所述衬底中，相邻各所述场限环的中心线的间距相等，且各所述场限环的宽度递减。

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述场限环与所述第一场板的数量相同。

6.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，相邻各所述场限环的宽度差值相同。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，各所述第一场板具有相同的第一宽度。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一场板为金属场板或多晶硅场板。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述终端区还包括：

层间介质层，位于所述第一场板远离所述衬底的一侧；

多个第二场板，位于所述层间介质层远离所述第一场板的一侧，各所述第二场板沿远离所述有源区的方向间隔设置，相邻各所述第二场板具有相等的第二间距，所述第二间距为0.1～8μm。

10.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其特征在于，各所述第二场板具有相同的第二宽度。

11.根据权利要求10所述的功率半导体器件，其特征在于，各所述第一场板具有相同的第一宽度，各所述第一宽度与各所述第一间距的总和等于各所述第二宽度与各所述第二间距的总和。

12.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其特征在于，相邻各所述第一场板之间具有第一间隔区域，相邻各所述第二场板之间具有第二间隔区域，各所述第一间隔区域与各所述第二间隔区域一一对应设置。

13.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其特征在于，相邻各所述第一场板之间的间隔区域与各所述第二场板对应，且相邻各所述第二场板之间的间隔区域与各所述第一场板对应。

14.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一场板为多晶硅场板，所述第二场板为金属场板。

15.根据权利要求14所述的功率半导体器件，其特征在于，各所述第二间距大于各所述第一间距。

16.根据权利要求14所述的功率半导体器件，其特征在于，所述金属场板与所述多晶硅场板的数量相同，或所述金属场板为n个，所述多晶硅场板为n+1个，n为大于1的自然数。