[发明专利]IGBT器件及其制备方法

权利要求书

1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：

漂移区，具有第一导电类型；

体区，形成于所述漂移区内，具有第二导电类型；

第一掺杂区，形成于所述体区内，具有第一导电类型；

第二掺杂区，形成于所述体区内，具有第二导电类型，所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度；

沟槽，依次穿透所述第一掺杂区和所述体区并延伸至所述漂移区内，所述第二掺杂区与所述沟槽间隔设置；

填充结构，包括形成于所述沟槽内壁上的氧化层和填充于所述沟槽内且相互隔离的第一导电结构和第二导电结构，所述第一导电结构底部深度大于所述第二导电结构底部深度；

扩展区，形成于所述沟槽下方的漂移区内并包围所述沟槽的底部，具有第二导电类型，所述扩展区通过所述氧化层与所述第一导电结构隔离；

发射极引出结构，与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触；以及

栅极引出结构，与所述第二导电结构接触。

2.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区底部的体区内，所述发射极引出结构贯穿所述第一掺杂区并延伸至所述第二掺杂区内。

3.如权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述第二掺杂区包围所述发射极引出结构的底部。

4.如权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，还包括：

层间介质层，覆盖所述第一掺杂区和所述沟槽，所述发射极引出结构还贯穿所述层间介质层并与层间介质层上的发射极接触，所述栅极引出结构还贯穿所述层间介质层并与所述层间介质层上的栅极接触。

5.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一导电结构和所述第二导电结构分别形成于所述沟槽的底部和顶部，所述第一导电结构和所述第二导电结构之间形成有隔离所述第一导电结构和所述第二导电结构的隔离结构。

6.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，位于所述扩展区上方的漂移区的掺杂浓度高于位于所述扩展区下方的漂移区的掺杂浓度。

7.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一导电结构为不带电的浮空结构。

8.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一导电结构从所述沟槽的端部引出并与所述发射极引出结构电连接。

9.一种IGBT器件制备方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上形成漂移区，在所述漂移区上开设沟槽，在所述沟槽的内壁形成氧化层，所述漂移区具有第一导电类型；

在所述沟槽下方的漂移区内形成扩展区，所述扩展区具有第二导电类型且包围所述沟槽的底部；

在所述沟槽内填充相互隔离的第一导电结构和第二导电结构，所述第一导电结构底部深度大于所述第二导电结构底部深度；

对所述漂移区进行第二导电类型掺杂形成体区，所述体区与所述沟槽接触，所述体区的深度小于所述沟槽的深度；

对所述体区分别进行第一导电类型掺杂和第二导电类型掺杂，对应形成第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述沟槽接触，所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度，形成与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触的发射极引出结构，并形成与所述第二导电结构接触的栅极引出结构。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在对所述漂移区进行第二导电类型掺杂形成体区之前，还包括：

对所述漂移区进行第一导电类型掺杂，提高所述扩展区上方的漂移区浓度。