[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

漂移区，具有第一导电类型；

体区，具有第二导电类型，形成于所述漂移区内；

第一掺杂区和第二掺杂区，分别形成于所述体区内，所述第一掺杂区具有第一导电类型，所述第二掺杂区具有第二导电类型；

沟槽栅和扩展区，所述沟槽栅通过对第一沟槽进行填充形成，所述第一沟槽穿透所述第一掺杂区、所述体区并延伸至所述漂移区内；所述扩展区具有第二导电类型，所述扩展区形成于所述第一沟槽下方的漂移区内并包围所述第一沟槽的底壁，所述沟槽栅包括填充于第一沟槽底部的第一导电结构、第一沟槽顶部的第二导电结构、所述第二导电结构与所述第一沟槽的内壁之间以及所述第一导电结构与所述第一沟槽未被所述扩展区包围的内壁之间的介质层，所述第一导电结构和第二导电结构相互隔离；

沟槽调节区，通过对第二沟槽进行填充形成，所述第二沟槽穿透所述体区并延伸至所述漂移区内，所述沟槽调节区包括填充于第二沟槽内的第三导电结构以及所述第三导电结构和第二沟槽的内壁之间的介质层；

栅极，与所述第二导电结构电连接；

第一电极，与所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三导电结构电连接；

第二电极引出区，与所述漂移区接触；及

第二电极，与所述第二电极引出区电连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽栅和所述沟槽调节区交替并排分布且相邻沟槽之间的间隔相等。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二沟槽的底面与所述第一导电结构的顶面齐平。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区形成于所述体区的上表层，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区的下方，所述第二沟槽依次穿透所述第二掺杂区和所述体区并延伸至所述漂移区内，所述第二沟槽上方开设有穿透所述第一掺杂区并暴露出所述第二掺杂区和所述第三导电结构的接触孔，所述第一电极通过所述接触孔分别与所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三导电结构电连接。

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一沟槽被所述扩展区包围的至少部分底壁未形成有介质层，所述扩展区与所述第一导电结构接触，或所述第一沟槽被所述扩展区包围的全部底壁上均形成有介质层，所述扩展区与所述第一导电结构隔离。

6.如权利要求1至4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电结构与第一电极电连接或为浮空结构。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为IGBT，所述第一电极为发射极，所述第二电极引出区包括集电区和形成于所述集电区与所述漂移区之间的缓冲区，所述缓冲区具有第一导电类型，所述集电区具有第二导电类型，所述缓冲区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度，所述第二电极为集电极。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为MOS管，所述第一电极为源极，所述第二电极引出区具有第一导电类型，所述第二电极为漏极。