[发明专利]一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法

权利要求书

1.一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，其特征在于，包括：

步骤1，对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏，以确保反应仓无漏点；

步骤2，设定所述反应仓的镀膜的反应条件的参数值，以及设定所述单管镀膜时的反应条件的参数值，所述反应仓的反应条件的参数值和所述单管的反应条件的参数值符合镀膜的参数要求；

步骤3，在石墨框为空的状态时，运行所述反应仓和所述单管，将所述石墨框传入至所述反应仓，并从所述反应仓内输出，并等待所述反应仓和所述单管的反应条件的参数值稳定；

步骤4，测试第一根所述单管，关闭其余所述单管的运行，保持第一根所述单管处于镀膜的运行状态，且所述单管的反应条件的参数值不变，调整用于运输所述石墨框的传输带的运行速度；

步骤5，重复步骤3；

步骤6，将第一根所述单管对应的所述石墨框上的一排子框格装上待镀膜硅片，将所述待镀膜硅片送入所述反应仓进行镀膜；

步骤7，重复步骤4-6，依次完成余下单管对硅片的镀膜；

步骤8，分析每一根单管镀膜后的硅片，以判断每根单管的镀膜效果。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分析每一根单管镀膜后的硅片，包括：

对经过每一根单管镀膜后的硅片进行检测，以确定每一根单管的是否满足镀膜的要求。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对经过每一根单管镀膜后的硅片进行检测，以确定每一根单管的是否满足镀膜的要求，包括：

将硅片镀膜的厚度与标准值比较，判断是否符合镀膜标准；

将硅片镀膜的折射率与标准值比较，判断是否符合镀膜标准。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

当测量得到的所述硅片的镀膜的厚度和折射率中的至少一项不满足镀膜的要求时，则该硅片对应的单管异常，并进行检修。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏包括：

关闭所述反应仓，将所述反应仓内抽真空，当所述反应仓的内压力低于第一压力值后停止抽真空；

测试所述反应仓的压力，计算出漏率值，若所述漏率值大于等于第一漏率值，排查所述反应仓的漏气位置，直至确定反应仓无漏点，其中所述反应仓无漏点表征所述反应仓的漏率值小于所述第一漏率值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一压力值为0.05mbar。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述反应仓的第一漏率值为0.75mbar*L/S。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述反应仓的反应条件的参数值为：

所述反应仓的第二压力值为0.2～0.3mbar；

所述反应仓的第一温度值为300～500℃；

所述反应仓运行的第一带速为200～300cm/min。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单管的反应条件的参数值为：

所述单管氨气流量的第一流量为500～700sccm；

所述单管硅烷流量的第二流量为100～300sccm；

所述单管相位的第一相位为50度，所述单管相位用于表示单管的方向；

所述单管功率的第一功率为3000～4000W。