[发明专利]一种氮氧化物荧光材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010458855.4 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN113736462B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 解荣军;李淑星 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C09K11/79 分类号: C09K11/79;C04B35/50;C04B35/58;F21K2/08
代理公司: 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人: 刘小勤
地址: 361000 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化物 荧光 材料 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

本发明涉及一种氮氧化物荧光材料及其制备方法和应用,所述氮氧化物荧光材料的分子式为La1‑x‑yEuyCaxSiO2+xN1‑x,其中,0≤x<1,0<y≤0.1,所述氮氧化物荧光材料的基质中固溶激活剂Eu而被激活,从而具有发光特性。所述氮氧化物荧光材料是由La2O3粉体、CaCO3粉体、Si3N4粉体、SiO2粉体、Eu2O3和/或EuF3和/或EuCl2粉体混合后,在氮气‑氢气混合气氛或者氮气‑氢气‑氨气混合气氛下、于1300~1550℃温度范围保温烧结得到。所述氮氧化物荧光材料被紫外光激发后,可调控地发射出蓝光、绿光、黄光系列荧光,量子产率高,在照明领域具有较好的应用前景。

技术领域

本发明涉及荧光材料,尤其是一种氮氧化物荧光材料及其制备方法和应用。

背景技术

稀土Eu2+掺杂荧光材料的光学性能与荧光材料基质的晶体结构,尤其与稀土离子的局域配位结构,直接相关。通常,材料晶体结构的确认依赖于实验和计算两个方面。从实验层面上讲,可以通过解析X射线衍射数据确认材料的晶体结构。从理论计算层面上讲,可以基于密度泛函理论(DFT)计算构建材料的晶体结构。La-Si-O-N材料体系,包括LaSiO2N,La5Si3O12N,La4Si2O7N2,La2Si6O3N8等被作为典型荧光材料体系得到广泛的研究。然而,长久以来关于LaSiO2N的晶体结构的研究一直争议不断,目前文献中都将其晶体结构默认为无机晶体结构数据库(ICSD)中的六方晶系,空间群为P-6c2,参见非专利文献1(MorganP.E.D,et al“Journal of Materials Science”1977;12:2343-2344),然而,在该晶体结构中,La存在2种配位结构,LaO6和LaO6N6,即N原子存在明显富集现象,从能量最低角度,ICSD中六方的LaSiO2N的结构模型是不稳定的。LaSiO2N晶体结构的确定对于研究其稀土掺杂的光学性能十分重要。此外,在Eu掺杂LaSiO2N荧光材料中,由于Eu2+和La3+价态不匹配,通常会存在Eu2+和Eu3+共存的现象,Eu3+的存在导致发光材料性能不佳,参见非专利文献2(ChenJ,et al“ScientificReports”2016;6:31199)。

发明内容

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