[发明专利]一种FinFET制造方法在审
| 申请号： | 202010464454.X | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113745109A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢 | 申请（专利权）人： | 广东汉岂工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚;车大莹 |
| 地址： | 528300 广东省佛山市顺德区大良街道办事处德和居*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 制造 方法 | ||
1.一种FinFET制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用多重图形化掩膜工艺形成包括衬底、第一氧化层、硬掩膜层、第二氧化层和多个间隔件的结构；
对上述图形化的结构进行蚀刻，在与所述多个间隔件位置对应的部分形成多个鳍片，每个所述鳍片上方形成有所述第一氧化层、所述硬掩膜层和所述第二氧化层；
在相邻两个所述鳍片之间形成浅沟道隔离区，所述浅沟道隔离区的高度与所述鳍片的高度相同；
对每个所述浅沟道隔离区进行凹陷处理在相邻两个所述鳍片之间形成凹槽，以露出所述鳍片的上部；
在每个所述鳍片和每个所述凹槽表面沉积ALD薄膜；
对沉积有所述ALD薄膜的所述多个鳍片和凹槽进行切割处理。
2.根据权利要求1所述的FinFET制造方法，其特征在于，所述ALD薄膜为SiN、SiOCN、TiN、TaN中的一种。
3.根据权利要求1所述的FinFET制造方法，其特征在于，所述衬底为Si，所述硬掩膜层为SiN。
4.根据权利要求1所述的FinFET制造方法，其特征在于，在相邻两个所述鳍片之间形成浅沟道隔离区的所述步骤包括：
在相邻两个所述鳍片之间以及所述多个鳍片上方均匀覆盖衬垫氧化层；
进行化学机械抛光处理，以使所述衬垫氧化层的上表面与所述鳍片的顶部平坦化，从而移除所述第一氧化层、所述硬掩膜层和所述第二氧化层。
5.根据权利要求4所述的FinFET制造方法，其特征在于，通过ISSG、ALD-Ox、FCVD中的一种在相邻两个所述鳍片之间以及所述多个鳍片上方均匀覆盖衬垫氧化层。
6.根据权利要求1所述的FinFET制造方法，其特征在于，对沉积有所述ALD薄膜的所述多个鳍片和凹槽进行切割处理所述步骤包括：
去除边缘部分的虚拟鳍片和对应的凹槽；
在剩余的鳍片和凹槽之间以及上方沉积氧化层；
进行氧回蚀处理以暴露出所述ALD薄膜；
移除所述ALD薄膜。
7.根据权利要求6所述的FinFET制造方法，其特征在于，通过等离子各向同性蚀刻、化学各向同性蚀刻或湿法蚀刻中的一种移除所述ALD薄膜。
8.一种根据权利要求1-7所述的FinFET制造方法形成的FinFET。
9.根据权利要求8所述的FinFET，其特征在于，通过控制氧回蚀处理深度形成不同的门底部结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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