[发明专利]半导体封装结构在审
| 申请号： | 202010484230.5 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN112086414A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 谢亚叡;许家豪;陈泰宇;许耀邦 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，包括：
基板；
半导体裸晶，被设置在该基板的上方；
环绕该半导体裸晶的成型材料；
第一接合层，被设置在该半导体裸晶的上方；以及，
热接口材料，被设置在该成型材料的上方。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该半导体封装结构还包括：
第一散热器，被设置在该第一接合层的上方。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该热接口材料连接该成型材料和该第一散热器。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该热接口材料是粘合剂。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该热接口材料环绕该第一接合层。
6.根据权利要求1或5所述的半导体封装结构，其特征在于，该热接口材料和该第一接合层被间隙间隔开。
7.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，该半导体封装结构还包括：
金属层，被设置在该第一接合层和该半导体裸晶之间。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该热接口材料具有至少一个凹口；或者，该热接口材料被至少一个缺口切断。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该热接口材料部分地环绕该第一接合层。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该半导体封装结构还包括：
导电组件，被设置在该半导体裸晶和该基板之间。
11.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该半导体封装结构还包括：
被设置在该基板下方的第二散热器，其中，该第二散热器透过第二接合层接合至该基板。
12.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二散热器是在接合该第一散热器之前被接合的，以及，该第一接合层的熔点低于该第二接合层的熔点。
13.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一接合层包括SnBi，SnBiAg或其组合。
14.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，该热接口材料比该金属层厚并且比该接合层厚。
15.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该热接口材料的侧壁与该成型材料的侧壁对准。
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