[发明专利]半导体封装结构在审

专利信息
申请号: 202010484230.5 申请日: 2020-06-01
公开(公告)号: CN112086414A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 谢亚叡;许家豪;陈泰宇;许耀邦 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李庆波
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构
【说明书】:

发明提供了一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括:基板,半导体裸晶,成型材料,第一接合层和热接口材料。半导体裸晶被设置在基板的上方。成型材料环绕半导体裸晶。第一接合层被设置在半导体裸晶的上方。热接口材料被设置在成型材料的上方。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年6月14日递交的申请号为62/861,379的美国临时案以及2020年3月5日递交的申请号为62/985,371的美国临时案的优先权,在此合并参考上述申请案的全部内容。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构,尤其涉及一种具有热接口材料(thermalinterface material)的半导体封装结构。

背景技术

半导体封装结构不仅能够给半导体裸晶(semiconductor die)提供免受环境污染物侵害的保护,而且还能够在封装于其中的半导体裸晶与诸如印刷电路板(printedcircuit board,PCB)的基板之间提供电连接。

在半导体裸晶的操作期间会产生热量。如果没有充分除去热量,则升高的温度会损坏半导体组件,并会导致热应力和半导体封装结构的弯曲(warpage)。

需要将散热装置(heat dissipation device)设置在半导体封装结构中。散热器/散热片(heatsink)通常用于散发热量。热接口材料被设置在半导体裸晶和散热器之间,以促进热量从半导体裸晶传递到散热器。然而,尽管半导体封装结构中的现有散热装置通常能够满足要求,但是它们并不是在各个方面都令人满意,因此,需要进一步的改进以提高散热效率。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的之一在于提供一种半导体封装结构,以解决上述问题。

本发明提供了一种半导体封装结构。半导体封装结构的示例性实施例包括:基板,半导体裸晶,成型材料,第一接合层和热接口材料。半导体裸晶被设置在基板的上方。成型材料环绕半导体裸晶。第一接合层被设置在半导体裸晶的上方。热接口材料被设置在成型材料的上方。

在一些实施例中,该半导体封装结构还包括:第一散热器,被设置在该第一接合层的上方。

在一些实施例中,该热接口材料连接该成型材料和该第一散热器。

在一些实施例中,该热接口材料是粘合剂。

在一些实施例中,该热接口材料环绕该第一接合层。

在一些实施例中,该热接口材料和该第一接合层被间隙间隔开。

在一些实施例中,该半导体封装结构还包括:金属层,被设置在该第一接合层和该半导体裸晶之间。

在一些实施例中,该热接口材料具有至少一个凹口。

在一些实施例中,该热接口材料被至少一个缺口切断。

在一些实施例中,该热接口材料部分地环绕该第一接合层。

在一些实施例中,该半导体封装结构还包括:导电组件,被设置在该半导体裸晶和该基板之间。

在一些实施例中,该半导体封装结构还包括:被设置在该基板下方的第二散热器,其中,该第二散热器透过第二接合层接合至该基板。

在一些实施例中,该第二散热器是在接合该第一散热器之前被接合的,以及,该第一接合层的熔点低于该第二接合层的熔点。

在一些实施例中,该第一接合层包括SnBi,SnBiAg或其组合。

在一些实施例中,该热接口材料比该金属层厚并且比该接合层厚。

在一些实施例中,该热接口材料的侧壁与该成型材料的侧壁对准。

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