[发明专利]具有高效检索功能的处理器在审

专利信息
申请号: 202010486964.7 申请日: 2017-03-07
公开(公告)号: CN111627909A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 张国飙 申请(专利权)人: 杭州海存信息技术有限公司
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310051*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 具有 高效 检索 功能 处理器
【权利要求书】:

1.一种具有高效检索功能的处理器(200),其特征在于含有:

一传输至少部分数据的输入总线(110);

多个与所述输入总线(110)耦合的存储处理单元(100aa-100mn),所述多个存储处理单元(100aa-100mn)中每个存储处理单元(100ij)均含有一字符串匹配电路(180)和至少一三维存储(3D-M)阵列(170…);其中,所述3D-M阵列(170…)存储至少一关键词或检索字符串;所述字符串匹配电路(180)对所述用户数据与所述关键词或检索字符串进行模式匹配;

所述字符串匹配电路(180)位于一半导体衬底(0)之上;

所述3D-M阵列(170…)位于所述字符串匹配电路(180)之上;

所述3D-M阵列(170…)与所述字符串匹配电路(180)通过多个接触通道孔(1av…)耦合。

2.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:

所述字符串匹配电路(180)的所有晶体管(0t)均位于所述半导体衬底(0)之中;

所述3D-M阵列(170…)的所有存储元(5aa…)均不位于任何半导体衬底之中。

3.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:所述字符串匹配电路(180)与所述3D-M阵列(170…)之间无任何半导体衬底。

4.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:所述接触通道孔(1av…)完全位于所述3D-M阵列(170…)和所述半导体衬底(0)之间,且不穿透任何半导体衬底。

5.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列(170…)与所述字符串匹配电路(180)至少部分重叠。

6.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列(170…)含有多个垂直堆叠的存储元(5aa…)。

7.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列(170…)的多个周边电路(15…)位于所述半导体衬底(0)之上,所述接触通道孔(1av…)将所述3D-M阵列(170…)与所述周边电路(15…)耦合。

8.根据权利要求7所述的具有高效检索功能的处理器(200),其特征还在于:所述周边电路(15…)将所述字符串匹配电路(180)全部或至少一个组件(180A)包围。

9.根据权利要求7所述的具有高效检索功能的处理器(200),其特征还在于:相邻的所述周边电路(15B, 15D)之间具有一布线通道(190Xa)。

10.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的处理器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列(170…)为一三维可写存储(3D-W)阵列或一三维印录存储(3D-P)阵列。

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