[发明专利]具有高效检索功能的处理器在审
申请号: | 202010486964.7 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN111627909A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 张国飙 | 申请(专利权)人: | 杭州海存信息技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 高效 检索 功能 处理器 | ||
1.一种具有高效检索功能的处理器(200),其特征在于含有:
一传输至少部分数据的输入总线(110);
多个与所述输入总线(110)耦合的存储处理单元(100aa-100mn),所述多个存储处理单元(100aa-100mn)中每个存储处理单元(100ij)均含有一字符串匹配电路(180)和至少一三维存储(3D-M)阵列(170…);其中,所述3D-M阵列(170…)存储至少一关键词或检索字符串;所述字符串匹配电路(180)对所述用户数据与所述关键词或检索字符串进行模式匹配;
所述字符串匹配电路(180)位于一半导体衬底(0)之上;
所述3D-M阵列(170…)位于所述字符串匹配电路(180)之上;
所述3D-M阵列(170…)与所述字符串匹配电路(180)通过多个接触通道孔(1av…)耦合。
2.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:
所述字符串匹配电路(180)的所有晶体管(0t)均位于所述半导体衬底(0)之中;
所述3D-M阵列(170…)的所有存储元(5aa…)均不位于任何半导体衬底之中。
3.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:所述字符串匹配电路(180)与所述3D-M阵列(170…)之间无任何半导体衬底。
4.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:所述接触通道孔(1av…)完全位于所述3D-M阵列(170…)和所述半导体衬底(0)之间,且不穿透任何半导体衬底。
5.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列(170…)与所述字符串匹配电路(180)至少部分重叠。
6.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列(170…)含有多个垂直堆叠的存储元(5aa…)。
7.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的存储器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列(170…)的多个周边电路(15…)位于所述半导体衬底(0)之上,所述接触通道孔(1av…)将所述3D-M阵列(170…)与所述周边电路(15…)耦合。
8.根据权利要求7所述的具有高效检索功能的处理器(200),其特征还在于:所述周边电路(15…)将所述字符串匹配电路(180)全部或至少一个组件(180A)包围。
9.根据权利要求7所述的具有高效检索功能的处理器(200),其特征还在于:相邻的所述周边电路(15B, 15D)之间具有一布线通道(190Xa)。
10.根据权利要求1所述的具有高效检索功能的处理器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列(170…)为一三维可写存储(3D-W)阵列或一三维印录存储(3D-P)阵列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的