[发明专利]带隙基准电压产生电路

说明书

本发明公开了一种带隙基准电压产生电路，涉及集成电路技术领域。该带隙基准电压产生电路，包括：差分放大器，用于通过差分输入方式提供第一反馈电压和第二反馈电压；镜像电流单元，包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的第二通路端用于提供多个镜像电流；第一电阻性元件，第一电阻性元件的第一端与第三晶体管的第二通路端的连接节点提供基准电压；调整单元，包括多个电流分支，多个电流分支用于调整基准电压的温度系数。该带隙基准电压产生电路提高了带隙基准电压产生电路提供的基准电压的准确度，降低了带隙基准电压产生电路的总成本。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种带隙基准电压产生电路。

背景技术

Banba结构的带隙基准电压产生电路广泛应用在IC电路上，这种结构的基准电压产生电路工作电压低、功耗低并且结构简单，存储芯片电路中常规的十字交叉形、中心对称形或中轴对称形等元器件设计方法，无法直接应用Banba结构的基准电压产生电路，原因就在于Banba结构的基准电压Verf的准确度与Banba结构中的电阻有关，而电路电阻在cmos工艺中容易受晶圆上的注入、掺杂浓度的影响使得电阻值偏差较大，从而降低了带隙基准电压产生电路提供的基准电压的准确度。Banba结构的带隙基准电压产生电路中通常需要多个Mohm量级的电阻，以降低电路功耗，这样会带来巨大的面积开销，从而提高带隙基准电压产生电路的总成本。

发明内容

为了克服相关技术中存在的Banba结构的带隙基准电压产生电路中的多个Mohm量级的电阻的占用面积大和电阻值偏差较大的问题，本发明实施例提供了一种带隙基准电压产生电路。

根据本发明的一方面，提供一种带隙基准电压产生电路，包括：

差分放大器，包括第一输入端、第二输入端和输出端，用于通过差分输入方式提供第一反馈电压和第二反馈电压；

镜像电流单元，包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的控制端与所述输出端连接，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的第一通路端接收外部电压，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的第二通路端用于提供多个镜像电流；

第一电阻性元件，所述第一电阻性元件的第一端与所述第三晶体管的第二通路端连接，所述第一电阻性元件的第二端连接参考地电位，所述第一电阻性元件的第一端与所述第三晶体管的第二通路端的连接节点提供基准电压；

调整单元，包括多个电流分支，所述多个电流分支分别与对应的所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二通路端连接，所述多个电流分支分别与对应的所述第一输入端或所述第二输入端连接以接收所述第一反馈电压或所述第二反馈电压，所述多个电流分支用于调整所述基准电压的温度系数。

可选地，所述多个电流分支包括：第一电流分支和第二电流分支，

所述第一电流分支包括第二电阻性元件，所述第二电阻性元件的第一端与所述第一晶体管的第二通路端连接，所述第二电阻性元件的第一端还与所述第一输入端连接，所述第二电阻性元件的第二端连接参考地电位；

所述第二电流分支包括第一二极管，所述第一二极管的第一端与所述第一晶体管的第二通路端连接，所述第一二极管的第一端还与所述第一输入端连接，所述第一二极管的第二端连接参考地电位。

可选地，所述多个电流分支还包括：第三电流分支和第四电流分支，

所述第三电流分支包括第三电阻性元件和并联连接的多个第二二极管，所述第三电阻性元件的第一端与所述第二晶体管的第二通路端连接，所述第三电阻性元件的第一端还与所述第二输入端连接，所述第三电阻性元件的第二端连接所述多个第二二极管的第一端，所述多个第二二极管的第二端连接参考地电位；