[发明专利]半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物

权利要求书

1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有包括第一材料的暴露层和包括与所述第一材料不同的第二材料的至少一个突出特征；以及

(b)在所述第一材料和所述第二材料两者上沉积SnO₂层，包括在所述至少一个突出特征的侧壁上沉积所述SnO₂层，其中所述第一材料和所述第二材料被选择为使得对于第一蚀刻化学过程所述第一材料的蚀刻速率与SnO₂的蚀刻速率的比率大于1，并且对于第二蚀刻化学过程所述第二材料的蚀刻速率与SnO₂的蚀刻速率的比率大于1，并且其中所述沉积包括将所述半导体衬底的所述第一材料和所述第二材料暴露于含锡前体和含氧前体；

(c)在沉积所述SnO₂层之后，从所述半导体衬底的水平表面完全去除所述SnO₂层，而不完全去除覆盖所述至少一个突出特征的所述侧壁的所述SnO₂层；以及

(d)在从所述半导体衬底的水平表面去除所述SnO₂层之后，使用所述第二蚀刻化学过程完全去除所述至少一个突出特征，而不完全去除覆盖所述至少一个突出特征的所述侧壁的所述SnO₂层，从而形成SnO₂间隔物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积包括将所述半导体衬底的所述第一材料和所述第二材料暴露于具有下式的所述含锡前体：

Rx-Sn-A(4-x)

其中x可以是0、1、2或3；

R可选自脂族取代基、杂脂族取代基或其任何组合；以及

A是YR’z，其中Y可选自N或O；

当Y为O时，z为1，并且当Y为N时，z为2；以及

每个R’能独立地选自脂族取代基、杂脂族取代基或其任何组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述含锡前体中的锡选自锡(II)和锡(IV)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中YR’_z的第一R’与YR’_z的第二R’相同。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述含锡前体是四(二甲基氨基)锡。

6.根据权利要求2所述的方法，其中YR’_z的第一R’不同于YR’_z的第二R’。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述含锡前体是四(乙基甲基氨基)锡。

8.根据权利要求2所述的方法，其中R和R’各自可独立地选自烷基、烯基、炔基或其组合。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述烷基是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基或其组合。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述含锡前体是烷基取代的锡酰胺。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述含锡前体选自四(二甲基氨基)锡、四(乙基甲基氨基)锡、N²,N³-二叔丁基-丁烷-2,3-二氨基-锡(II)和1,3-双(1,2-甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮杂锡烷-2-亚基。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述含锡前体是四(二甲基氨基)锡。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积包括在所述含锡前体和所述含氧前体的顺序暴露之间用惰性气体吹扫容纳所述半导体衬底的处理室。