[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置在审
申请号: | 202010524566.X | 申请日: | 2020-06-10 |
公开(公告)号: | CN111627951A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 卢天豪;赵德江;孙倩;黄维 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 王迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
驱动基板;
多个LED,所述多个LED阵列排布在所述驱动基板上;
无机绝缘层,位于所述驱动基板和所述多个LED之间;所述无机绝缘层面向所述多个LED一侧设置有多个第一凹槽,所述第一凹槽在所述驱动基板上的正投影与所述LED在所述驱动基板上的正投影不交叠;
第一平坦层,所述第一平坦层覆盖所述多个LED,所述第一平坦层面向所述驱动基板一侧具有填充所述第一凹槽的多个凸起。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述无机绝缘层包括:位于所述驱动基板和所述多个LED之间的第一绝缘层,以及位于所述第一绝缘层和所述多个LED之间的第二绝缘层;所述第二绝缘层的材料和所述第一绝缘层的材料不同;
所述第二绝缘层面向所述多个LED一侧设置有多个所述第一凹槽。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层的厚度为0.2μm-1μm,所述第二绝缘层的厚度为2μm-3μm。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述无机绝缘层为单层,单层的所述无机绝缘层的厚度为2μm-3μm。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括位于所述第一平坦层背离所述驱动基板一侧的挡墙结构,所述挡墙结构具有多个像素开口,所述像素开口与所述LED一一对应;
所述像素开口包括第一子像素开口和第二子像素开口,所述第一子像素开口内设置红色量子点彩膜,所述第二子像素开口内设置绿色量子点彩膜。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述像素开口还包括第三子像素开口,所述第三子像素开口内填充散射粒子。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一平坦层内具有多个散射粒子。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一平坦层面向所述挡墙结构一侧设置有多个第二凹槽,所述挡墙结构填充所述第二凹槽。
9.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,还包括覆盖所述彩膜层和所述挡墙结构的封装层。
10.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿垂直于所述衬底基板厚度的方向,所述第一凹槽的截面形状为等腰梯形、直角梯形、长方形其中之一或组合。
11.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动基板包括:衬底基板,位于所述衬底基板面向所述LED一侧的驱动电路,位于所述驱动电路面向所述LED一侧的第二平坦层,位于所述第二平坦层面向所述LED一侧的第一电极和第二电极;所述第一电极通过贯穿所述第二平坦层的第一过孔与所述驱动电路电连接,所述第二电极接地;
所述LED面向所述驱动基板的一侧包括第三电极和第四电极,所述第三电极通过贯穿所述无机绝缘层的第二过孔与所述第一电极电连接,所述第四电极通过贯穿所述无机绝缘层的第三过孔与所述第二电极电连接。
12.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述LED为Micro LED。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-12任一项所述的显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010524566.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的