[发明专利]实现空穴局部钝化接触的方法、晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种实现空穴局部钝化接触的方法，其特征在于，包括：

提供一种晶体硅衬底；

在所述晶体硅衬底表面制备隧穿氧化硅；

在所述隧穿氧化硅表面制备本征非晶硅；

在所述非晶硅表面局部覆盖硼掺杂剂；

将局部覆盖硼掺杂剂的晶体硅衬底进行退火处理，实现非晶硅到多晶硅的转变，同时所述硼掺杂剂被激活并在多晶硅薄膜内进行再分布，形成局部硼掺杂；所述局部硼掺杂的表面浓度不低于7E19 cm^-3；

采用碱溶液对退火后的晶体硅衬底进行刻蚀，去除局部硼掺杂之外区域的多晶硅，所述局部硼掺杂区域的多晶硅被保留；

制备金属电极，所述金属电极位于局部硼掺杂区域的正上方；

至此，形成空穴局部钝化接触。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述非晶硅表面局部覆盖硼掺杂剂，具体包括：通过丝网印刷的方式在非晶硅表面局部覆盖硼浆，或者通过打印的方式在非晶硅表面局部覆盖硼墨水。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述非晶硅表面局部覆盖硼掺杂剂，具体包括：通过离子注入的方式在非晶硅表面局部注入硼离子。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶硅表面覆盖的硼掺杂剂是图案化的，所述图案与金属电极的图案相对应。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用炉管或快速热处理炉进行退火处理；退火后，所述晶体硅衬底表面形成均匀的多晶硅层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，退火温度为750-1100°C，退火时间为20-100分钟，炉内气氛是氮气。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述碱溶液为NaOH溶液或KOH溶液，所述碱溶液的质量浓度为1-30%，温度为10-95°C，刻蚀时间为4-40分钟。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述碱溶液的质量浓度为2-5%，温度为40-80°C，刻蚀时间为5-10分钟。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用激光局部热处理退火进行退火处理；退火后，所述晶体硅衬底表面局部硼掺杂处形成多晶硅层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，选用的激光波长范围是100-1100 nm。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述碱溶液为NaOH溶液或KOH溶液，所述碱溶液的质量浓度为0.5-20%，温度为10-95°C，刻蚀时间为2-20分钟。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述碱溶液的质量浓度为0.5-5%，温度为20-80°C，刻蚀时间为2-7分钟。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述局部硼掺杂的表面浓度不低于1E20 cm^-3。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为0.5-2 nm；所述非晶硅的厚度为10-300 nm。