[发明专利]硅料装料方法

说明书

本发明公开了一种硅料装料方法，所述硅料装料方法包括以下步骤：在坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件；在装有所述安装件后的所述坩埚内装入硅料；抽出所述安装件，使所述安装件的安装区域限定出第一气流通道。根据本发明的硅料装料方法，第一气流通道和硅料的缝隙之间可以形成气流通道，使气体可以顺利排出，可以避免杂质例如氧碳杂质在硅料中的死角处停留，从而可以避免氧碳杂质在硅料中沉积，保证硅料具有较高的质量。

技术领域

本发明涉及晶体硅铸锭技术领域，尤其是涉及一种硅料装料方法。

背景技术

相关技术中，为了在坩埚内装入足够多的硅料，通常使硅料在坩埚内紧密排布。然而，这种排布方式会使硅料之间的缝隙较小，当向硅料内部通气体时，气体中的携带的氧碳杂质容易在硅料中的死角处停留，从而导致氧碳杂质在硅料中沉积，可能会影响硅料的质量。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种硅料装料方法，可以避免气体中的杂质例如氧碳杂质在硅料中的死角处停留，从而可以避免杂质在硅料中沉积，保证硅料具有较高的质量。

根据本发明实施例的硅料装料方法，包括以下步骤：在坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件；在装有所述安装件后的所述坩埚内装入硅料；抽出所述安装件，使所述安装件的安装区域限定出第一气流通道。

根据本发明实施例的硅料装料方法，通过在坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件且使安装件的安装区域限定出第一气流通道，第一气流通道和硅料的缝隙之间可以形成气流通道，使气体可以顺利排出，可以避免杂质例如氧碳杂质在硅料中的死角处停留，从而可以避免氧碳杂质在硅料中沉积，保证硅料具有较高的质量。

根据本发明的一些实施例，在所述坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个所述安装件之前，还包括：在坩埚内的底部铺设底部硅料，使所述底部硅料与所述坩埚的底部之间限定出顶部敞开的第一气流槽；在所述第一气流槽的上方覆盖沿所述第一气流槽的长度方向彼此间隔开的多个覆盖硅料，以使多个所述覆盖硅料与所述第一气流槽之间限定出与所述第一气流通道连通的第二气流通道。

根据本发明的一些实施例，所述底部硅料与所述坩埚的底部之间限定出顶部敞开的多个所述第一气流槽，多个所述第一气流槽的一端连通、且另一端彼此间隔开；所述安装件包括第一安装件和多个第二安装件，所述第一安装件设在多个所述第一气流槽的所述一端，每个所述第二安装件设在相邻两个所述覆盖硅料之间。

根据本发明的一些实施例，每个所述第一气流槽的所述另一端邻近所述坩埚的侧壁。

根据本发明的一些实施例，多个所述第一气流槽的所述另一端沿周向均匀间隔设置。

根据本发明的一些实施例，多个所述第一气流槽呈“十”字形或“米”字形。

根据本发明的一些实施例，所述坩埚内设有多个所述安装件，每个所述安装件的安装区域限定出一个所述第一气流通道，多个所述第一气流通道沿所述第一气流槽的长度方向间隔设置，多个所述第一气流通道中的至少一个邻近所述坩埚的侧壁。

根据本发明的一些实施例，每个所述第一气流槽的宽度为d₁，每个所述第一气流通道的最大宽度为d₂，所述底部硅料、所述覆盖硅料和所述硅料的平均直径为d，其中，所述d₁、d₂、d满足：d₁≤d，d₂≤d。

根据本发明的一些实施例，所述d₁、d₂进一步满足：10mm≤d₁≤30mm，10mm≤d₂≤30mm。

根据本发明的一些实施例，每个所述安装件为实心结构或中空管状结构。