[发明专利]一种高功率、低漏电的Sense-Switch型pFLASH单元结构

权利要求书

1.一种高功率、低漏电的Sense-Switch型pFLASH单元结构，其特征在于，包括：

衬底(1)，所述衬底(1)上设置有深N阱(2)；

编程/擦除管T1的有源区(21)和信号传输管T2的有源区(22)，制作在所述深N阱(2)内；

所述深N阱(2)上依次设有隧道氧化层(4)、浮栅多晶层(5)、IPD多晶间介质层(6)和控制栅多晶层(7)；所述控制栅多晶层(7)的外侧设有侧墙(14)；

所述深N阱(2)上设有ILD介质层(9)，所述的ILD介质层(9)上设有金属层(11)；所述ILD介质层(9)覆盖在控制栅多晶层(7)、侧墙(14)以及深N阱(2)上；

所述隧道氧化层(4)外围设有SAB介质层，所述SAB介质层内填充有金属硅化物(8)，在所述金属硅化物(8)上方设有贯穿所述ILD介质层(9)的通孔连接结构(10)，所述金属层(11)通过所述通孔连接结构(10)和所述金属硅化物(8)与所述编程/擦除MOS管T1和所述信号传输管T2欧姆接触。

2.如权利要求1所述的高功率、低漏电的Sense-Switch型pFLASH单元结构，其特征在于，所述信号传输管T2包括有源区(22)、位于所述有源区(22)内的P+漏区(12A)和P-源区(12B)；其中，所述信号传输管T2中的P+漏区(12A)和P-源区(12B)分布于所述控制栅多晶层(7)的两侧，并且所述信号传输管T2中的P-源区(12B)内有N+注入(13)；

所述编程/擦除管T1的有源区(21)内设置有P+源区(15A)和P+漏区(15B)，分别位于所述控制栅多晶层(7)的两侧。

3.如权利要求2所述的高功率、低漏电的Sense-Switch型pFLASH单元结构，其特征在于，所述金属层(11)包括与所述信号传输管T2中P+漏区(12A)欧姆接触的漏极金属(11A)、与所述信号传输管T2中P-源区(12B)欧姆接触的源极金属(11B)，以及与所述编程/擦除管T1的P+源区(15A)和P+漏区(15B)欧姆接触的金属。

4.如权利要求3所述的高功率、低漏电的Sense-Switch型pFLASH单元结构，其特征在于，所述SAB介质层内还设有连接所述信号传输管T2中P+漏区(12A)的漏区金属硅化物(8A)和连接所述信号传输管T2中N+注入(13)的源区金属硅化物(8B)。

5.如权利要求4所述的高功率、低漏电的Sense-Switch型pFLASH单元结构，其特征在于，所述通孔连接结构(10)包括漏区连接通孔结构(10A)和源区连接通孔结构(10B)，均贯穿所述ILD介质层(9)；

所述漏极金属(11A)通过所述漏区连接通孔结构(10A)、所述漏区金属硅化物(8A)与所述信号传输管T2中P+漏区(12A)欧姆接触；

所述源极金属(11B)通过所述源区连接通孔结构(10B)、所述源区金属硅化物(8B)与所述信号传输管T2中N+注入(13)欧姆接触。

6.如权利要求1所述的高功率、低漏电的Sense-Switch型pFLASH单元结构，其特征在于，所述浮栅多晶层(5)为所述编程/擦除MOS管T1与所述信号传输管T2共用，通过所述浮栅多晶层(5)存储电荷来实现所述信号传输管T2的开关状态；

所述编程/擦除MOS管T1、所述信号传输MOS管T2的栅极端连接在一起，所述编程/擦除管T1通过位选择信号来控制浮栅上的电子，从而实现编程、擦除、校验的功能。

7.如权利要求1所述的高功率、低漏电的Sense-Switch型pFLASH单元结构，其特征在于，所述编程/擦除管T1的有源区(21)和所述信号传输管T2的有源区(22)在所述深N阱(2)中通过STI(32)隔离；

所述STI(32)的沟槽深度为

所述深N阱(2)的结深为3～7μm。