[发明专利]压力传感器

说明书

本发明的压力传感器减少沉积物对压力传感器的膜片的影响。本发明具备：可动电极(104)，其形成于膜片(102)的可动区域(102a)内；以及固定电极(105)，其以与可动电极(104)相对的方式形成。膜片(102)的受压面呈惰性状态。膜片(102)的呈惰性的受压面呈不易吸附上测定对象气体的分子的状态。能够通过规定的表面处理使膜片(102)的受压面成惰性。通过表面处理，形成使膜片(102)的受压面成惰性的层，该层的存在使得膜片(102)的受压面成惰性。

技术领域

本发明涉及一种压力传感器。

背景技术

例如，根据受到压力的膜片的挠曲量也就是位移来输出压力值的压力传感器在以半导体设备为首的工业用途中得到了广泛使用。在半导体装置的制造中，使用有基于气相沉积的各种成膜装置、干式蚀刻装置。在这样的制造装置中，为了形成nm单位厚度的薄膜，要准确地控制处理室内的压力、工艺气体的分压等，压力的准确测量就变得重要起来。为了实现这种压力测量，使用有压力传感器。

在这种压力传感器中，要求对工艺气体等用于装置的气体的耐腐蚀性，而且对成膜等工艺中产生的副产物也要求耐性。此外，在成膜工艺中，在成膜室内壁、管道内壁、真空泵内部以及压力传感器的受压部即膜片等工艺气体所通过的部位会产生沉积而引起各种问题。

例如有原子层沉积法(ALD)，与以往常用的化学气相沉积法(CVD)相比，原子层沉积法在阶差被覆性和膜质上较为优异，近年开发出来用于栅极绝缘膜等的形成。该ALD在特性上容易在原料气体所通过的各种部位附着上原料气体，从而容易产生上述无用的沉积。当压力传感器的膜片上产生这种无用的沉积时，会像众所周知的那样导致零点偏移、压力灵敏度的变化等，从而妨碍准确的测定、对处理的结果产生较大影响。

为了防止上述在膜片上的无用的沉积，例如在成膜动作时等会将各部分加热到例如200℃左右。此外，提出有如下技术：利用挡板等使工艺气体到达膜片为止的路径变得复杂而在途中捕捉无用的沉积，由此来防止在膜片上的无用的沉积(参考专利文献1～3)。此外，还提出有如下技术：将工艺气体到达膜片的部位避开沉积的影响较大的膜片中心而设为膜片的周边部(参考专利文献1、2、4、5)。

此外，还提出有如下膜片结构：为了应对ALD，调整膜片的刚性，抑制膜片的挠曲本身(参考专利文献6)。此外，还提出有如下技术：将膜片表面设为格子状的网眼等结构化的表面，大幅降低沉积在膜片上的测定介质的材料造成的弯曲应力(参考专利文献7)。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本专利特开2001-149946号公报

【专利文献2】日本专利特表2016-526153号公报

【专利文献3】日本专利特开2015-034786号公报

【专利文献4】日本专利特开2014-126504号公报

【专利文献5】日本专利特开2014-109484号公报

【专利文献6】日本专利特开2010-236949号公报

【专利文献7】日本专利特表2009-524024号公报

发明内容

【发明要解决的问题】

然而，如今膜厚和品质的均一化在进一步发展，从而要求高精度的工艺。在这样的背景下，前文所述的相关技术会产生在膜片上的微量沉积，此外，沉积物对膜片的应力(膜应力)没有被完全消除，从而无法忽略这些问题造成的压力测定精度的降低。

本发明是为了解决以上那样的问题而成，其目的在于进一步减少沉积物对压力传感器的膜片的影响。

【解决问题的技术手段】