[发明专利]多层陶瓷电子组件有效
申请号: | 202010553719.3 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN112530694B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 姜正模;尹炯悳;郑恩僖 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王春芝;金光军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电子 组件 | ||
1.一种多层陶瓷电子组件,包括:
陶瓷主体,包括介电层以及在第三方向上堆叠的第一内电极和第二内电极且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,并且所述陶瓷主体具有在第一方向上相对的第三表面和第四表面、在第二方向上相对的第五表面和第六表面以及在所述第三方向上相对的第一表面和第二表面;以及
第一外电极和第二外电极,分别设置在所述陶瓷主体的所述第三表面和所述第四表面上,
其中,所述第一外电极包括第一基础电极和第一导电层,所述第一基础电极设置为与所述陶瓷主体接触并且具有第一导电金属,所述第一导电层设置在所述第一基础电极上并且具有第二导电金属,
所述第二外电极包括第二基础电极和第二导电层,所述第二基础电极设置为与所述陶瓷主体接触并且具有所述第一导电金属,所述第二导电层设置在所述第二基础电极上并且具有所述第二导电金属,并且
所述第一导电层的不与所述第一基础电极接触的外表面和所述第二导电层的不与所述第二基础电极接触的外表面均具有10.0μm或更大的平均表面粗糙度,
其中,所述第二导电金属的标准还原电位比所述第一导电金属的标准还原电位高,所述第一导电层和所述第二导电层中的每个是所述第二导电金属的单组分层,并且所述第一导电层和所述第二导电层包括从由纳米颗粒、纳米线、纳米棒、纳米柱、纳米带、纳米盘、纳米管和纳米四脚体组成的组中选择的一种或更多种结构。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一基础电极和所述第二基础电极与所述第一导电层和所述第二导电层包含彼此不同的导电金属。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一基础电极和所述第二基础电极包含所述第一导电金属和玻璃。
4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件,其中,在所述第一基础电极和所述第一导电层之间的界面以及所述第二基础电极和所述第二导电层之间的界面处,所述第一导电金属与所述第二导电金属接触的区域以及所述玻璃与所述第二导电金属接触的区域是随机设置的。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一基础电极和所述第二基础电极包含铜。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一基础电极和所述第二基础电极均具有1.0μm或更大的平均表面粗糙度。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第二导电金属的标准还原电位为0.1V或更大。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一导电层的外表面和所述第二导电层的外表面的平均表面粗糙度为100μm或更小,所述第一基础电极和所述第二基础电极均具有1.0μm至100μm的平均表面粗糙度。
9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一导电层和所述第二导电层中的每个包括所述第二导电金属的还原层。
10.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第二导电金属的标准还原电位为2.87V或更小。
11.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,所述多层陶瓷电子组件还包括覆盖所述第一导电层的第一端子电极以及覆盖所述第二导电层的第二端子电极。
12.根据权利要求11所述的多层陶瓷电子组件,所述第一端子电极和所述第二端子电极包括镍、铜、锡、钯、铂、金、银、钨、钛、铅或它们的合金。
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