[发明专利]传感器融合

权利要求书

1.一种与长短期记忆(LSTM)单元相关联的融合单元，所述融合单元包括：

第一整流器，所述第一整流器从第一传感器接收第一传感器编码并且生成第一调节传感器编码

第二整流器，所述第二整流器从第二传感器接收第二传感器编码并且生成第二调节传感器编码

融合门，所述融合门接收所述第一调节传感器编码和所述第二调节传感器编码并且生成融合门结果

第一逐元素乘积门，所述第一逐元素乘积门接收所述融合门结果和所述第一调节传感器编码并且生成第一乘积；

第二逐元素乘积门，所述第二逐元素乘积门接收和所述第二调节传感器编码并且生成第二乘积；和

输出门，所述输出门接收所述第一乘积和所述第二乘积并生成融合状态a_t。

2.根据权利要求1所述的融合单元，其中所述第一整流器或所述第二整流器是整流线性单元(ReLU)。

3.根据权利要求1所述的融合单元，其中所述融合门采用逐元素求和函数和S函数以基于所述第一调节传感器编码和所述第二调节传感器编码来生成所述融合门结果

4.根据权利要求1所述的融合单元，其中所述第一逐元素乘积门或所述第二逐元素乘积门采用逐元素乘积函数以分别生成所述第一乘积或所述第二乘积。

5.根据权利要求1所述的融合单元，其中所述输出门采用逐元素求和函数以基于所述第一乘积和所述第二乘积来生成所述融合状态a_t。

6.根据权利要求1所述的融合单元，其中所述第一调节传感器编码

7.根据权利要求1所述的融合单元，其中所述融合门结果

8.根据权利要求1所述的融合单元，其中所述融合状态

9.根据权利要求1所述的融合单元，其中所述融合状态a_t被输入到所述LSTM单元的第一门，所述第一门采用对所述融合状态a_t和隐藏状态h_t-1求和的逐元素求和函数。

10.根据权利要求9所述的融合单元，其中将所述LSTM单元的所述第一门的输出作为输入传递至所述LSTM单元的遗忘门。

11.一种与长短期记忆(LSTM)单元相关联的融合单元，所述融合单元包括：

第一整流器，所述第一整流器从第一传感器接收第一传感器编码并且生成第一调节传感器编码

第二整流器，所述第二整流器从第二传感器接收第二传感器编码并且生成第二调节传感器编码

融合门，所述融合门接收所述第一调节传感器编码和所述第二调节传感器编码并且生成融合门结果

第一逐元素乘积门，所述第一逐元素乘积门接收所述融合门结果和所述第一调节传感器编码并且生成第一乘积；和

第二逐元素乘积门，所述第二逐元素乘积门接收和所述第二调节传感器编码并且生成第二乘积。

12.根据权利要求11所述的融合单元，其中所述第一调节传感器编码

13.根据权利要求11所述的融合单元，其中所述融合门结果

14.根据权利要求11所述的融合单元，其中所述融合门采用逐元素求和函数和S函数以基于所述第一调节传感器编码和所述第二调节传感器编码来生成所述融合门结果

15.根据权利要求11所述的融合单元，其中所述第一乘积被输入到所述LSTM单元内的第一架构的第一门，所述第一门采用对所述第一乘积与隐藏状态h_t-1求和的逐元素求和函数。