[发明专利]一种驱动基板、发光装置及其制作方法

权利要求书

1.一种驱动基板，其特征在于，包括：器件设置区、电路板绑定区，以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区；

所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板包括依次层叠设置的刚性衬底、脱粘层、第一缓冲层、有机材料层、第二缓冲层和走线层；

所述弯折区的驱动基板包括依次层叠设置的所述第一缓冲层、搭接电极层、所述有机材料层和所述第二缓冲层；

其中，所述搭接电极层的两端分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区，所述器件设置区的走线层和所述电路板绑定区的走线层分别通过过孔与所述搭接电极层连接。

2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述走线层包括形成在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上的第一走线层；

其中，所述器件设置区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第一过孔与所述搭接电极层的一端连接；所述电路板绑定区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第二过孔与所述搭接电极层的另一端连接。

3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述第一走线层、位于所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层的平坦层。

4.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层的第三缓冲层，所述第一走线层部分露出所述平坦层和所述第三缓冲层。

5.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述走线层还包括形成在所述器件设置区的所述平坦层上的第二走线层，所述第二走线层通过贯穿所述平坦层的第三过孔与所述第一走线层连接；

所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层和所述第二走线层的第三缓冲层，所述第二走线层部分露出所述第三缓冲层。

6.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述弯折区的驱动基板还包括所述脱粘层，所述脱粘层位于所述第一缓冲层远离所述搭接电极层的一侧。

7.根据权利要求4或5所述的驱动基板，其特征在于，所述弯折区的驱动基板还包括所述第三缓冲层，所述第三缓冲层位于所述第二缓冲层远离所述有机材料层的一侧。

8.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，在所述弯折区处于非弯折状态下，所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底沿同一水平面设置；在所述弯折区处于弯折状态下，所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底贴合。

9.根据权利要求8所述的驱动基板，其特征在于，在所述弯折区处于弯折状态下，所述器件设置区与所述弯折区的接触面上、所述电路板绑定区与所述弯折区的接触面上，以及所述器件设置区的刚性衬底与所述电路板绑定区的刚性衬底之间设置有粘接层。

10.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述脱粘层的材料为聚酰亚胺或聚酰亚胺改性材料；所述脱粘层的厚度为30nm至100nm。

11.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述搭接电极层的材料为铜、钼、钛或铝中的至少一种；所述搭接电极层的厚度为300nm至800nm。

12.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度为50nm至300nm；所述有机材料层的厚度小于或等于6μm；所述第二缓冲层的厚度为50nm至300nm。

13.一种发光装置，其特征在于，包括电路板、发光器件以及如权利要求1至12中任一项所述的驱动基板，所述发光器件与所述器件设置区的走线层连接，所述电路板与所述电路板绑定区的走线层连接。