[发明专利]一种驱动基板、发光装置及其制作方法在审
申请号: | 202010566468.2 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN113823654A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 朱小研;卢鑫泓;柳锦女 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L23/528;H01L21/768;H01L33/48;H01L33/62;H05K1/11 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 发光 装置 及其 制作方法 | ||
本发明提供了一种驱动基板、发光装置及其制作方法,涉及显示技术领域。本发明通过在器件设置区和电路板绑定区依次层叠设置刚性衬底、脱粘层、第一缓冲层、有机材料层、第二缓冲层和走线层,在弯折区依次层叠设置的第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层;搭接电极层的两端分别延伸至器件设置区和电路板绑定区,器件设置区的走线层和电路板绑定区的走线层分别通过过孔与搭接电极层连接。通过在弯折区仅设置第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层,减少弯折区的膜层数,从而实现弯折区中膜层的厚度降低,进而降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力,保证弯折区中的膜层不会出现断裂或裂纹,确保了弯曲区的弯折信赖性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种驱动基板、发光装置及其制作方法。
背景技术
为了适应显示器轻薄化的发展趋势,在LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)之后出现了微LED(包括Micro LED和Mini LED)技术。微LED技术的一大优势在于可以实现拼接,用一定数量的小尺寸的驱动基板来实现超大尺寸的显示。
在通过多个小尺寸的驱动基板拼接形成大尺寸的驱动基板时,由于单个驱动基板具有边框,故在相邻驱动基板之间必然存在拼接缝,为了减小拼接缝,需要在驱动基板中设置弯折区,将弯折区弯折以减小拼接缝,而弯折区中膜层的最大弯曲应变力对驱动基板的质量有着很大的影响。
发明内容
本发明提供一种驱动基板、发光装置及其制作方法,以实现降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力,提高驱动基板的质量的问题。
为了解决上述问题,本发明提供了一种驱动基板,包括:器件设置区、电路板绑定区,以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区;
所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板包括依次层叠设置的刚性衬底、脱粘层、第一缓冲层、有机材料层、第二缓冲层和走线层;
所述弯折区的驱动基板包括依次层叠设置的所述第一缓冲层、搭接电极层、所述有机材料层和所述第二缓冲层;
其中,所述搭接电极层的两端分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区,所述器件设置区的走线层和所述电路板绑定区的走线层分别通过过孔与所述搭接电极层连接。
可选的,所述走线层包括形成在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上的第一走线层;
其中,所述器件设置区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第一过孔与所述搭接电极层的一端连接;所述电路板绑定区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第二过孔与所述搭接电极层的另一端连接。
可选的,所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述第一走线层、位于所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层的平坦层。
可选的,所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层的第三缓冲层,所述第一走线层部分露出所述平坦层和所述第三缓冲层。
可选的,所述走线层还包括形成在所述器件设置区的所述平坦层上的第二走线层,所述第二走线层通过贯穿所述平坦层的第三过孔与所述第一走线层连接;
所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层和所述第二走线层的第三缓冲层,所述第二走线层部分露出所述第三缓冲层。
可选的,所述弯折区的驱动基板还包括所述脱粘层,所述脱粘层位于所述第一缓冲层远离所述搭接电极层的一侧。
可选的,所述弯折区的驱动基板还包括所述第三缓冲层,所述第三缓冲层位于所述第二缓冲层远离所述有机材料层的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的