[发明专利]硅基有机电致发光显示基板及其制作方法、显示面板

说明书

本公开提供了一种硅基有机电致发光显示基板及其制作方法、显示面板，所述显示基板包括：硅基基底以及位于所述硅基基底上阵列排布的像素单元，其中，每个所述像素单元中均包括：第一电极，位于所述硅基基底的一侧；发光层，其位于所述第一电极远离所述硅基基底的一侧；以及第二电极，其位于所述发光层远离所述第一电极的一侧，其中，至少部分所述像素单元的所述第二电极包括至少一组如下的复合结构：第一金属膜层，其位于所述发光层远离所述第一电极的一侧；导电散射块，其位于所述第一金属膜层远离所述发光层的一侧；以及第二金属膜层，其位于所述导电散射块远离所述第一金属膜层的一侧。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体地说，尤其涉及一种硅基有机电致发光显示基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

有机发光二极管或有机电致发光(organic light emitting diodes,OLED)器件的基本结构包括阴极、阳极以及阴极与阳极之间的有机电致发光材料。为了增加OLED器件的发光性能，有可能加入非有机的材料提升发光器件的各类性能指标。OLED器件的阴极与阳极必须一个在可见光区为透明/半透明状态。对OLED器件施加偏压后电子与空穴分别从阴极、阳极注入发光层。电子与空穴在发光层中形成激子，激子为激发态电子。激子在发光层中复合，以光的形式释放能量。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种硅基有机电致发光显示基板，包括硅基基底以及位于所述硅基基底上阵列排布的像素单元，其中，每个所述像素单元中均包括：第一电极，位于所述硅基基底的一侧；发光层，其位于所述第一电极远离所述硅基基底的一侧；以及第二电极，其位于所述发光层远离所述第一电极的一侧，其中，至少部分所述像素单元的所述第二电极包括至少一组如下的复合结构：第一金属膜层，其位于所述发光层远离所述第一电极的一侧；导电散射块，其位于所述第一金属膜层远离所述发光层的一侧；以及第二金属膜层，其位于所述导电散射块远离所述第一金属膜层的一侧。

可选地，所述导电散射块的材料包括有机半导体材料和无机半导体材料，或者掺杂的无机半导体材料和掺杂的有机半导体材料。

可选地，所述有机半导体材料包括Alq3、Bphen和BCP,所述无机半导体材料包括碳材。

可选地，所述导电散射块的材料的载子迁移率大于10^-4cm² V^-1s^-1。

可选地，所述导电散射块的材料的光学能隙大于2.5eV。

可选地，所述第一金属膜层和所述第二金属膜层的材料包括镁银合金、银合金中的至少一种。

可选地，所述第二电极的厚度在12nm-20nm范围内，所述导电散射块的厚度在2nm-7nm范围内。

根据本公开的另一方面，提供了一种显示面板，其包括以上所述的显示基板以及用于驱动所述显示基板的驱动电路。

根据本公开的另一方面，提供了一种用于制作硅基有机电致发光显示基板的方法，包括：提供硅基基底；在所述硅基基底上形成第一电极；在所述第一电极的远离所述硅基基底的一侧形成发光层，以及在所述发光层远离所述第一电极的一侧形成第二电极，其中，所述第二电极包括至少一组如下的复合结构：第一金属膜层，其位于所述发光层远离所述第一电极的一侧；导电散射块，其位于所述第一金属膜层远离所述发光层的一侧；以及第二金属膜层，其位于所述导电散射块远离所述第一金属膜层的一侧。

可选地，形成所述第二电极包括：在所述发光层上形成第一金属膜层；在所述第一金属膜层上形成导电散射层，对所述导电散射层进行图案化处理以形成岛状的导电散射块；在所述导电散射块上形成覆盖所述导电散射块的第二金属膜层。

附图说明