[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

半导体衬底，其具有表面和背面；

表面侧电极，其设置于所述表面之上；以及

背面侧电极，其设置于所述背面之上，

所述半导体衬底包含第一单元区域、与所述第一单元区域相邻的第二单元区域，

在所述第一单元区域形成有第一半导体元件，

在所述第二单元区域形成有第二半导体元件，

所述表面侧电极包含形成于所述第一单元区域的第一电极、形成于所述第二单元区域的第二电极，

所述第一半导体元件包含所述第一电极、形成于所述第一单元区域的所述表面侧的第一p区域，

所述第二半导体元件包含所述第二电极、形成于所述第二单元区域的所述表面侧的第二p区域，

所述第一电极和所述第二电极彼此分离，

所述第一p区域和所述第二p区域彼此分离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一半导体元件为沟槽栅极构造的第一晶体管，

所述第二半导体元件为沟槽栅极构造的第二晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一半导体元件为平面栅极构造的第一晶体管，

所述第二半导体元件为平面栅极构造的第二晶体管。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

还具有与所述第一半导体元件的第一栅极电极和所述第二半导体元件的第二栅极电极导通的栅极配线，

在所述半导体衬底的所述表面的俯视观察中，所述栅极配线设置于所述第一单元区域和所述第二单元区域之间的边界之上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一半导体元件为第一二极管，

所述第二半导体元件为第二二极管。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述半导体衬底的所述表面的俯视观察中，所述半导体衬底还包含n⁺区域，该n⁺区域设置于所述第一半导体元件的所述第一p区域与所述第二半导体元件的所述第二p区域之间，

所述n⁺区域与所述第一p区域及所述第二p区域分离。