[发明专利]一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法

权利要求书

1.一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

101)初步刻蚀步骤：在SOI晶圆上表面涂光刻胶，通过曝光显影技术在光刻胶上形成相应图形，SOI晶圆的厚度分布满足绝缘层上的硅基厚度等于最终的硅空腔的深度；通过刻蚀加深相应图形的深度，形成地孔TSV，并在刻蚀之后去除光刻胶；加深刻蚀后的地孔TSV深度范围为1微米到100微米之间，

102)刻蚀深硅空腔步骤：在步骤101)处理后的晶圆上涂布硅空腔的图形化掩模层；通过刻蚀形成初步硅空腔，并加深刻蚀之前所形成的地孔TSV，加深刻蚀到地孔TSV的底部碰到SOI晶圆中的绝缘层时为止；

103)加深刻蚀步骤：通过第一次更换刻蚀反应物将地孔TSV的绝缘层打开，再进行第二次更换刻蚀反应物，并加深硅空腔和地孔TSV的底部，直到硅空腔底部碰到SOI晶圆中的绝缘层，形成最终刻蚀结构；去除晶圆表面的图形化掩模层；

104)成型步骤：对SOI晶圆上表面覆盖绝缘层，再通过PVD的方式在绝缘层上形成一层整面的种子层，采用电镀的方式对SOI晶圆上表面进行电镀，并采用CMP工艺将SOI晶圆表面多余的电镀金属、种子层、绝缘层进行平坦化去除；

其中，步骤101)中涂布的光刻胶的厚度为5微米到10微米，硅空腔的深度为100微米到200微米；光刻胶为正胶或负胶；涂布光刻胶的方式采用旋涂法或干膜直接粘贴；

地孔TSV的刻蚀深度为最终地孔深度减去SOI晶圆中绝缘层的深度；

去胶方式采用槽式去胶或干法去胶；

图形化掩模层采用涂覆液体光刻胶之后，通过曝光显影的方式获得；或者采用贴附干膜光刻胶之后，通过曝光显影的方式获得；或者采用二氧化硅或者氮化硅硬质掩模板的hard-mask方式获得；

覆盖绝缘层采用热氧化工艺或化学气相沉积工艺，覆盖绝缘层的厚度范围为1微米到10微米；种子层的整体厚度范围为0.1到10微米，种子层包含钛金属层、铜金属层、钨金属层中的一种或多种的组合。