[发明专利]一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法

说明书

本发明公开了一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法，具体包括如下步骤：101)裸芯制备步骤、102)裸芯修正步骤、103)制备步骤；本发明提供了加工成本低，降低芯片的损伤可能性，提高处理工艺可靠性的一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法。

技术领域

本发明专利涉及半导体封装技术领域，更具体的说，它涉及一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法。

背景技术

随着硅基微机电(MEMS)和射频硅通孔(RF TSV)工艺技术的发展，三维异构集成微系统技术成为下一代军用高集成电子系统技术发展重要方向。三维异构集成是将不同尺寸质地的芯片埋入硅基衬底上的硅空腔通过后布线技术扇出，再通过硅通孔来实现高密度集成的集成方法。

然而这样的芯片切割以后嵌入的集成方法存在前后道工艺的误差匹配问题。误差匹配问题是由于后道芯片切割误差与前道刻蚀工艺相比，误差较大精度较小，故为了避免当芯片内埋时芯片尺寸因切割误差而增大导致的无法内埋问题的出现，通常会在空腔刻蚀的时候增大刻蚀空腔的宽度，但是此多余宽度的引入会导致芯片内埋后再布线时出现悬空走线的问题，这种悬空走线会大大降低模组整体的可靠性。目前缓解这个问题的方法有两种：第一采用先进的激光切割刀来切割芯片从而是所切割的芯片尺寸误差降低；第二采用腐蚀的方式从芯片正面将各个芯片之间的间隔刻蚀开，在将整个晶圆从背部通过湿法腐蚀或者是化学机械抛光的方法进行减薄得到尺寸误差较小的单颗芯片。然而第一种方法所使用的激光切割刀十分昂贵故方法一得不到大面积普及；第二种方法较为简单普遍，但由于两种背部减薄工艺(湿法腐蚀和化学机械抛光)都会对芯片有所损伤(湿法腐蚀由于没有刻蚀反应停止层而容易腐蚀到芯片功能区域，化学机械抛光的方法由于背部抛光时正面晶圆上的芯片凹凸不一致从而容易引起CMP过程中晶圆受应力过大不均衡而破裂)而降低了芯片生产的成品率。

发明内容

本发明克服了现有技术的不足，提供了加工成本低，降低芯片的损伤可能性，提高处理工艺可靠性的一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：

一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法，具体包括如下步骤：

101)裸芯制备步骤：采用机械切割刀将晶圆进行切割得到单颗裸芯片；载板上表面涂覆上厚度为5微米至100微米的胶层；将单颗裸芯片放到涂覆胶层的载片上；

102)裸芯修正步骤：将步骤101)处理后的载板上表面涂覆填充胶，且填充胶完全覆盖载板上全部的单颗裸芯片；通过化学机械抛光的方式将正面涂覆的填充胶减薄到与单颗裸芯片等平面的高度；

在填充胶上表面涂覆光刻胶，并通过曝光显影技术修正图形结构，再通过刻蚀工艺将填充胶刻蚀出所需要的修正图形，并去除多余的光刻胶；进行分割形成单个带有已修正芯片的载片；

103)制备步骤：将步骤102)处理后的带有已修正芯片的载片放入带有焊料的硅空腔凹槽的底板晶圆中，将放好后的整个底板晶圆放入回流炉中回流得到相应模组结构，再对相应模组结构进行去除胶层，得到最终的嵌入式内埋芯片的结构。

进一步的，步骤101)中的胶层的涂覆方式为旋涂、刮胶或贴放固态坚膜；胶层采用的胶为临时键合胶、光解除胶或热解除胶。

进一步的，步骤102)中的填充胶采用树脂、高分子材料或大分子材料；涂覆填充胶的方式采用旋涂或刮胶。

进一步的，步骤102)中的光刻胶的涂覆方式采用旋涂、刮胶或粘贴干膜；光刻胶采用正胶或负胶；刻蚀工艺采用湿法刻蚀或干法刻蚀。

进一步的，步骤102)中的分割的方式采用机械切割、激光切割或正面腐蚀加背面减薄的方式进行切割。

本发明相比现有技术优点在于：