[发明专利]蚀刻装置和蚀刻方法

说明书

本发明提供一种蚀刻装置和蚀刻方法，在通过蚀刻去除基板周缘部的不需要的膜时精密地控制不需要的膜的去除范围。蚀刻装置具备：基板保持部，其保持基板；旋转驱动部，其使基板保持部绕旋转轴线旋转；液喷出部，其朝向被基板保持部保持的基板的周缘部喷出蚀刻液；以及控制部，其构成为至少通过控制旋转驱动部和液喷出部来控制蚀刻装置的动作。控制部构成为：控制通过旋转驱动部旋转的基板的旋转速度、从液喷出部喷出蚀刻液的喷出速度、以及从液喷出部喷出蚀刻液的喷出方向中的至少一方，以使得以即时脱离条件进行基板的蚀刻，即时脱离条件为通过液喷出部喷出的蚀刻液着落于基板的周缘部的着液点之后立即从基板脱离的条件。

技术领域

本公开涉及一种蚀刻装置和蚀刻方法。

背景技术

在半导体装置的制造中，进行利用药液对处于半导体晶圆等圆形的基板的周缘部的不需要的膜进行湿蚀刻来去除该不需要的膜的工序(称作“斜角蚀刻”)。在引用文献1中公开了一种用于进行斜角蚀刻的装置。引用文献1中公开的斜角蚀刻装置具备将基板保持为水平姿势且使该基板绕铅垂轴线旋转的真空吸盘、以及向旋转的基板的周缘部供给蚀刻用的药液的喷嘴。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-086638号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种在通过蚀刻来去除基板周缘部的不需要的膜时能够精密地控制不需要的膜的去除范围的技术。

用于解决问题的方案

蚀刻装置的一个实施方式具备：基板保持部，其保持基板；旋转驱动部，其使所述基板保持部绕旋转轴线旋转；液喷出部，其朝向被所述基板保持部保持的基板的周缘部喷出蚀刻液；以及控制部，其构成为至少通过控制所述旋转驱动部和所述液喷出部来控制所述蚀刻装置的动作，其中，所述控制部构成为：控制通过所述旋转驱动部旋转的基板的旋转速度、从所述液喷出部喷出蚀刻液的喷出速度以及从所述液喷出部喷出蚀刻液的喷出方向中的至少一方，以使得以即时脱离条件进行基板的蚀刻，所述即时脱离条件是从所述液喷出部喷出的蚀刻液着落于基板的周缘部的着液点后立即从基板脱离的条件。

发明的效果

根据本公开，能够精密地控制不需要的膜的去除范围。

附图说明

图1是一个实施方式所涉及的蚀刻装置的纵剖侧视图。

图2是表示图1所示的蚀刻装置的罩构件、其升降机构以及处理液供给部的俯视图。

图3是将图1的右侧的晶圆的外周缘附近的区域放大并详细表示的截面图。

图4是说明表面喷嘴的概要图。

图5是表示背面喷嘴的概要立体图。

图6是说明蚀刻处理中的各种参数的定义的图。

图7是说明实施例1的图。

图8是说明实施例2的图。

图9是说明实施例3的曲线图。

图10是说明实施例3的图。

图11是说明实施例4的图。

附图标记说明

W：基板；3：基板保持部；46：旋转驱动部；71、711、76、77、74、75：液喷出部；8：控制部。