[发明专利]一种环形栅结构的高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种环形栅结构的高电子迁移率晶体管，包括源极、漏极和栅极，其特征在于：所述栅极为环形结构，所述高电子迁移率晶体管包括两种基础结构：第一种基础结构为，所述源极为圆形结构，所述漏极为环形结构，且所述源极位于所述栅极的内圈，所述漏极位于所述栅极的外圈，源极和漏极分别与栅极存在间隙；第二种基础结构为，所述漏极为圆形结构，所述源极为环形结构，且所述漏极位于所述栅极的内圈，所述源极位于所述漏极的外圈，源极和漏极分别与栅极存在间隙；

对于第一种基础结构，所述源极通过刻蚀背孔接地，所述漏极通过空气桥结构引出至漏极电压极块；

针对第一种基础结构，通过设置多个栅极并保证每个栅极内、外圈均被栅极和漏极环绕，从而由内向外形成源极-栅极-漏极-栅极-源极的多层嵌套结构；

对于第二种基础结构，所述漏极通过刻蚀背孔接地，所述源极通过空气桥结构引出至源极电压极块；

针对第二种基础结构，通过设置多个栅极并保证每个栅极内、外圈均被栅极和漏极环绕，从而由内向外形成漏极-栅极-源极-栅极-漏极的多层嵌套结构。

2.根据权利要求1所述环形栅结构的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述栅极通过空气桥结构引出至栅极电压极块。

3.根据权利要求1所述环形栅结构的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所有栅极通过空气桥结构连接在一起并引出至栅极电极压块。

4.根据权利要求1所述环形栅结构的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所有源极通过空气桥结构连接在一起并通过中心处的源极背孔接地；所有漏极通过空气桥结构连接在一起并引出至漏极电压极块。

5.根据权利要求1所述环形栅结构的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所有漏极通过空气桥结构连接在一起并通过中心处的漏极背孔接地；所有源极通过空气桥结构连接在一起并引出至源极电压极块。