[发明专利]一种内嵌含能薄膜的自毁芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了一种内嵌含能薄膜的自毁芯片及其制备方法。该芯片以待毁伤信息芯片为基底层，利用MEMS技术，依次将微加热器层、含能薄膜层集成制造在基底层上，该芯片可显著降低自毁芯片中含能材料装药量，提高使用安全性，同时通过进一步使用耐高温含能材料以及低温封装技术，可确保含能薄膜以及自毁芯片的应用性能在各种恶劣环境下不退化，并增加芯片的散热能力、机械性质与物理性质。

技术领域

本发明属于信息安全与自毁技术领域，同时也属于微火工品领域，具体涉及一种内嵌含能薄膜的自毁芯片及其制备方法。

背景技术

随着信息化和智能化的发展，信息安全已经成为国家层面的重大技术问题之一。迄今为止，对存有重要信息的芯片实现物理自毁，是保障信息安全的可行性最高和最彻底的方法。

当前的芯片物理自毁方式一类是利用过流电源、强酸、形状记忆合金等手段对芯片物理毁伤，但这种方式存在不能完全销毁芯片的风险。如果不计代价，采用先进的理化分析手段对芯片进行深入的解剖分析，芯片中的信息仍然可能被读出。

而采用含能材料对芯片进行物理自毁，需要同时毁坏封装壳体及其内部的硅基存储芯片，需要较大的冲击能量，同时受工艺的限制，使得装药量较大，输出能量不易控制，在摧毁目标硅基芯片的同时会带来额外的安全问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种内嵌含能材料的平面式自毁芯片，其能够实现在保证高效的目标硅基芯片毁伤能力的同时，只需较少的装药量，具有良好的安全性。

本发明提供的内嵌含能薄膜的自毁芯片，由基底层、微加热器层、含能薄膜层依次集成封装而成，其中，

所述基底层为待毁伤信息芯片；

所述微加热器层为在所述基底层上形成的金属膜，与外部控制系统或供电系统连接，能够在电流作用下产生热量，对所述含能薄膜加热；

所述含能薄膜附着于所述基底层和微加热器层上，受热后产生燃烧或爆炸，对所述待毁伤信息芯片形成彻底物理毁伤。

可选的，所述微加热器层包括两层金属膜：

底下一层是桥区，用于将外界给予的电能转化为热能；

第二层是焊盘，制作于所述桥区上方，用于保护桥区材料，以及微加热器层与外部电路的连接。

可选的，所述桥区和焊盘的薄膜厚度均为500-1500nm。

可选的，所述桥区材料为镍镉合金、铂或钨，所述焊盘材料为铜、铝或金。

可选的，所述微加热器的电阻为1-10Ω。

可选的，所述含能薄膜层采用耐高温含能材料，热分解峰温度≥350℃。

可选的，所述含能薄膜为叠氮化镉起爆药含能薄膜或铝热剂多层膜。

另一方面，本发明提供了上述内嵌含能薄膜的自毁芯片制备方法，包括以下步骤：

由镀膜方式在所述基底层上制作所述微加热器层；

采用MEMS工艺在所述微加热器层表面制作所述含能薄膜层；

将所述自毁芯片与外部电路集成；

对所述自毁芯片进行封装保护。

优选的，采用叠氮化镉起爆药制作所述含能薄膜，成型工艺为微控直写工艺，包括以下步骤：

将粉末状叠氮化镉起爆药与粘结剂、溶剂等混合配置成叠氮化镉起爆药浆料；

在指定位置通过微控直写成型为含能薄膜。