[发明专利]GOA电路及显示面板有效
申请号: | 202010656941.6 | 申请日: | 2020-07-09 |
公开(公告)号: | CN111754916B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 陶健;滕飞;郭军辉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | goa 电路 显示 面板 | ||
1.一种GOA电路,其特征在于,包括:多个级联的GOA单元,每一级GOA单元均包括依次串联的正反扫描模块、第一锁存模块、第二锁存模块和缓冲输出模块;所述第二锁存模块包括多个并联的与非门电路,所述缓冲输出模块包括多个并联的缓冲输出电路,其中,多个所述与非门电路与多个所述缓冲输出电路一一对应连接,每个所述缓冲输出电路输出对应的栅极扫描信号,以使每一级所述GOA单元输出多个所述栅极扫描信号;
任一级所述GOA单元输出第一栅极扫描信号(G(n))和第二栅极扫描信号(G(n')),所述第二锁存模块包括第一与非门电路和第二与非门电路;所述缓冲输出模块包括第一缓冲输出电路和第二缓冲输出电路;其中,
所述第一与非门电路包括第十九薄膜晶体管、第二十薄膜晶体管、第二十一薄膜晶体管和第二十二薄膜晶体管;其中,所述第十九薄膜晶体管和所述第二十薄膜晶体管为P型薄膜晶体管,所述第二十一薄膜晶体管和所述第二十二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管;
所述第二与非门电路包括第十九对称薄膜晶体管、第二十对称薄膜晶体管和第二十一对称薄膜晶体管;其中,所述第十九对称薄膜晶体管和第二十对称薄膜晶体管为P型薄膜晶体管,所述第二十一对称薄膜晶体管为N型薄膜晶体管;
所述第十九薄膜晶体管、所述第二十二薄膜晶体管和所述第十九对称薄膜晶体管的栅极接入当前级所述GOA单元的级传信号(ST(N)),所述第二十薄膜晶体管和所述第二十一薄膜晶体管的栅极接入第n+1条时钟信号(CK(n+1)),所述第十九薄膜晶体管和所述第二十薄膜晶体管的源极接入恒压高电位,所述第十九薄膜晶体管和所述第二十薄膜晶体管的漏极与所述第二十一薄膜晶体管的源极电性连接,所述第二十一薄膜晶体管的漏极与所述第二十二薄膜晶体管和所述第二十一对称薄膜晶体管的漏极电性连接,所述第十九对称薄膜晶体管、所述第二十对称薄膜晶体管和所述第二十二薄膜晶体管的源极接入恒压高电位,所述第十九对称薄膜晶体管和所述第二十对称薄膜晶体管的漏极与所述第二十一对称薄膜晶体管的源极电性连接,所述第二十对称薄膜晶体管和所述第二十一对称薄膜晶体管的栅极接入第n+2条时钟信号(CK(n+2));
所述第一缓冲输出电路和所述第二缓冲输出电路分别包括奇数个依次串联的第三反相器,所述第一缓冲输出电路输出所述第一栅极扫描信号(G(n)),所述第二缓冲输出电路输出第二栅极扫描信号(G(n'))。
2.如权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,所述正反扫描模块包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管为N型薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管为P型薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管的栅极接入正向扫描信号,所述第二薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管的栅极接入反向扫描信号,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源极接入上一级所述GOA单元的级传信号(ST(N-1)),所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管的源极接入下一级所述GOA单元的级传信号(ST(N+1)),所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管的漏极均与第二节点电性连接。
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