[发明专利]一种基于三维树突状金纳米材料的拉曼基底的制备方法

权利要求书

1.一种基于三维树突状金纳米材料的拉曼基底的制备方法，其特征是，包括如下步骤：

（1）准备氧化铟锡（ITO）导电玻璃；

（2）制备质量分数为1%的氯金酸（HAuCl₄）溶液，制备浓度为1.8 mol/L的羟胺（NH₂OH）溶液作为还原剂；

（3）原位生长法制备三维树突状金纳米材料：将步骤（2）制得的氯金酸（HAuCl₄）溶液取20 μL滴涂到步骤（1）准备的ITO玻璃基底上，充分浸润30 s后继续滴加20 μL步骤（2）制得的羟胺（NH₂OH）溶液，静置2 min，去离子水冲洗3次，干燥；

（4）扫描电镜形貌表征：将步骤（3）制备的以原位生长法修饰三维树突状金纳米材料的拉曼基底用扫描式电子显微镜进行形貌表征。

2.根据权利要求1所述的一种基于三维树突状金纳米材料的拉曼基底的制备方法，其特征是，步骤（2）中所制备的还原剂是浓度为1.8 mol/L的羟胺（NH₂OH）溶液。

3.根据权利要求1所述的一种基于三维树突状金纳米材料的拉曼基底的制备方法，其特征是，步骤（3）中氯金酸（HAuCl₄）溶液与还原剂羟胺（NH₂OH）溶液的用量体积比为1:1，氯金酸（HAuCl₄）与还原剂羟胺（NH₂OH）的用量比例为1:72，三维树突状金纳米材料采用原位生长法制备，氯金酸（HAuCl₄）溶液在ITO玻璃基底上的浸润时间为30 s，羟胺（NH₂OH）溶液加入后氧化还原时间为2 min。