[发明专利]一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法

权利要求书

1.一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将高纯度硝酸铈、高纯度甘氨酸和高纯度PEG原料用半导体级超纯水进行溶解，将所得溶液采用密闭式高纯保护气体喷雾干燥器进行干燥，生成微米级的干粉；

(2)采用高纯氧气将生成的粉末输运到高温反应炉里，粉末在高温炉里进行爆炸式反应，即可得到粒径为10-50nm、纯度为99.9999wt％以上的纳米氧化铈。

2.根据权利要求1所述的高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的甘氨酸与硝酸铈的摩尔比为0-10:1，PEG的添加量为甘氨酸和硝酸铈总质量的0-50％。

3.根据权利要求1所述的高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的甘氨酸金属含量小于0.001％，PEG金属含量小于0.001％，硝酸铈的纯度为99.9999％。

4.根据权利要求1所述的高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的PEG的分子量为200-2000。

5.根据权利要求1所述的高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的半导体级超纯水的电阻率≥10MΩ﹒cm。

6.根据权利要求1所述的10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的高纯保护气体为氮气或氩气，纯度≥99.9999wt％。

7.根据权利要求1所述的10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的高纯氧气的纯度≥99.9999wt％。

8.根据权利要求1所述的10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的高温反应炉温度为400-2000℃，煅烧时间为0-3600s。