[发明专利]MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆中形成有第一芯片、与所述第一芯片电连接的第一电连接部；

提供封盖，所述封盖中形成有互连结构，所述互连结构包括第二电连接部；

在所述器件晶圆的第一表面或所述封盖的第一表面形成围墙，所述围墙围成的区域为空腔；

形成所述围墙后，键合所述封盖与所述器件晶圆，所述第一芯片与所述空腔相对应，所述第一电连接部和所述第二电连接部相对，且均至少部分位于所述围墙外，形成电连接空腔，电连接空腔具有开口；

形成第一导电块，以电连接所述第一电连接部和所述第二电连接部。

2.如权利要求1所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述封盖的形成步骤包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成释放层，所述释放层覆盖所述衬底；

在所述释放层上形成介质层，在所述介质层中形成互连结构；

在所述介质层中形成所述互连结构的步骤之后，还包括：

释放所述释放层，去除所述衬底。

3.如权利要求2所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述释放层的材料包括锗、碳、热解膜和光解膜中的至少一种。

4.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述封盖包括芯片级封盖；

所述键合所述封盖与所述器件晶圆的步骤包括：

键合各个所述芯片级封盖和所述第一芯片。

5.如权利要求1所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述封盖包括晶圆级封盖；

所述键合所述封盖与所述器件晶圆之后还包括：

沿切割道切割所述封盖。

6.如权利要求1所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述互连结构还包括与所述第二电连接部电连接的第三电连接部，所述第三电连接部与所述第二电连接部分别位于所述封盖相对的两个表面；

所述MEMS器件晶圆级封装方法还包括：

形成所述第一导电块的同时形成与所述第三电连接部电连接的第二导电块，或者在所述第三电连接部上植球形成第二导电块。

7.如权利要求1所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述围墙的材料包括干膜或金属。

8.如权利要求1-7任一项所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述形成第一导电块的步骤之后还包括：

填充各所述开口，形成封装层。

9.如权利要求8所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述填充形成所述第一导电块的开口之后还包括：

将键合有所述互连结构的器件晶圆进行切割，分离所述器件晶圆的各个所述第一芯片。

10.如权利要求1-7任一项所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，形成所述第一导电块的工艺为电镀工艺。

11.如权利要求1-7任一项所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一导电块的材料为铜、镍、锌、锡、金、钨和镁中的一种或多种。

12.如权利要求1-7任一项所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述MEMS器件包括体声波滤波器、表面声波滤波器、固态装配谐振器、麦克风和指纹识别器件中的至少一种。

13.如权利要求1-7任一项所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述围墙的厚度范围为5微米-50微米。