[发明专利]MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构

说明书

本发明实施例提供了一种MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构，方法包括：提供器件晶圆，器件晶圆中形成有第一芯片、与第一芯片电连接的第一电连接部；提供封盖，封盖中形成有互连结构，互连结构包括第二电连接部；在器件晶圆的第一表面或封盖的第一表面形成围墙，围墙围成的区域为空腔；形成围墙后，键合封盖与器件晶圆，第一芯片与空腔相对应，第一电连接部和第二电连接部相对，且均至少部分位于围墙外，形成电连接空腔，电连接空腔具有开口；形成第一导电块，以电连接第一电连接部和第二电连接部。本发明实施例所提供的MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构，可以提高所得产品的兼容性和成品率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构。

背景技术

随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。现有的封装技术包括球栅阵列封装(Ball GridArray，BGA)、芯片尺寸封装(Chip Scale Package，CSP)、晶圆级封装(Wafer LevelPackage，WLP)、三维封装(3D)和系统封装(System in Package，SiP)等，而采用不同形式的三维立体堆叠模式的系统集成封装已经得到越来越多的应用。

目前，为了满足集成电路封装的更低成本、更可靠、更快及更高密度的目标，先进的封装方法主要采用三维立体堆叠模式的晶圆级系统封装(wafer level package systemin package，WLPSIP)，与传统的系统封装相比，晶圆级系统封装是在晶圆上完成封装集成制程，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求。

在晶圆级系统封装工艺中，不仅需要将两片裸芯片键合在一起以实现物理连接，同时还需要连接其互连引线，从而实现电性连接。

发明内容

本发明实施例提供一种MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构，以提高在实现晶圆级封装的同时，提高所得产品的兼容性和成品率。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种MEMS器件晶圆级封装方法，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆中形成有第一芯片、与所述第一芯片电连接的第一电连接部；

提供封盖，所述封盖中形成有互连结构，所述互连结构包括第二电连接部；

在所述器件晶圆的第一表面或所述封盖的第一表面形成围墙，所述围墙围成的区域为空腔；

形成所述围墙后，键合所述封盖与所述器件晶圆，所述第一芯片与所述空腔相对应，所述第一电连接部和所述第二电连接部相对，且均至少部分位于所述围墙外，形成电连接空腔，电连接空腔具有开口；

形成第一导电块，以电连接所述第一电连接部和所述第二电连接部。

相应地，为解决上述问题，本发明实施例还提供一种MEMS器件封装结构，包括：

器件衬底，所述器件衬底中形成有第一芯片、与所述第一芯片电连接的第一电连接部；

封盖，封盖中形成有互连结构，所述互连结构包括第二电连接部；；

围墙，位于所述器件衬底和所述封盖之间，所述第一芯片与所述围墙围成的空腔相对应，所述第一电连接部和所述第二电连接部相对，且均至少部分位于所述围墙外；

第一导电块，电连接所述第一电连接部和所述第二电连接部。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：