[发明专利]实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法

权利要求书

1.一种在设置于半导体衬底上的鳍片上形成接触层的方法，所述方法包括：

清除半导体衬底上器件的任何氧化物，所述半导体衬底设置在反应腔室中的衬托器上；

稳定所述反应腔室的温度；

使卤化物前体流动到所述器件上，所述卤化物前体包含以下中的至少之一：氟化氢(HF)；氯化氢(HCl)；溴化氢(HBr)；碘化氢(HI)；氯(Cl₂)；氟(F₂)；溴(Br₂)；或碘(I₂)；

使硅前体流动到所述器件上，所述硅前体包含以下中的至少之一：硅烷(SiH₄)；二氯硅烷(DCS)；乙硅烷；或丙硅烷；和

使掺杂剂前体流动到所述器件上，所述掺杂剂前体包含以下中的至少之一：PCl₃；PCl₅；PBr₃；PBr₅；PI₃；PI₅；AsCl₃；AsCl₅；AsBr₃；AsBr₅；AsI₃；AsI₅；SbCl₃；SbCl₅；SbBr₃；SbBr₅；SbI₃；SbI₅；胂(AsH₃)；或膦(PH₃)；

其中所述卤化物前体防止沉积到设置于所述半导体衬底上的介电层上；

其中所述硅前体和所述掺杂剂前体反应以形成接触层；并且

其中重复任何流动步骤以形成所述接触层的所需厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中清洗步骤在300℃至800℃之间、400℃至650℃之间、或450℃至550℃之间的温度下进行。

3.根据权利要求1所述的方法，其中稳定步骤包括将所述温度稳定到400℃至800℃之间、550℃至700℃之间、或600℃至650℃之间的温度范围。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应腔室的压力在0.1至760托之间、10至200托之间、或30至100托之间的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成的所述接触层具有(111)的结晶取向。

6.一种用于形成器件的装置，所述装置包含：

反应腔室；

第一气体源，所述第一气体源配置为向所述反应腔室提供第一气体；

第二气体源，所述第二气体源配置为向所述反应腔室提供第二气体；以及

衬托器，所述衬托器配置为保持在其上形成器件的半导体衬底；

其中所述装置配置为执行根据权利要求1所述的方法。