[发明专利]光伏组件,光伏组件的背板和光伏组件的制造方法有效
申请号: | 202010712100.2 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN111816724B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 陈道远;薛文娟;周艳方 | 申请(专利权)人: | 上海晶澳太阳能科技有限公司;晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/049;H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王冉 |
地址: | 201499 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 背板 制造 方法 | ||
本公开的至少一些实施例提供光伏组件及其制造方法。该光伏组件包括:多个电池单元,其以阵列布置并且配置为接收光并产生功率;导热层,其呈网状,包括骨架部分和由骨架部分围绕的镂空部分。在光伏组件的厚度方向上,骨架部分的至少一部分与相邻电池单元之间的间隙重叠,镂空部分与电池单元重叠。该光伏组件在保证光伏组件的发电效率的同时,能够把光伏组件的热斑处的热量及时传导出去,从而提高了光伏组件的稳定性。
技术领域
本公开涉及一种光伏组件、一种光伏组件的背板和一种光伏组件的制造方法。
背景技术
现今,随着光伏行业高功率组件的需求增加,组件功率已向500W以上发展,增大电池片尺寸是最简捷的途径,行业内已有210mm的电池片。电池片变大后,即便采用二分之一切片方式,由于电流增加,会增大组件的热斑温度;有的厂家采用三分之一切片方式,为了保证组件输出功率,每串用了三十个三分之一切电池片,每串电池片数过多,也会使热斑温度增加。光伏组件热斑效应是指在一定条件下,串联支路中被遮蔽的太阳能电池组件将当做负载,消耗其他被光照的太阳能电池组件所产生的能量,被遮挡的太阳能电池组件此时将会发热的现象。热斑温度可以达到170度以上。
光伏组件热斑效应造成的危害很大,被遮挡的光伏组件、将会消耗有光照的光伏组件所产生的部分能量或所有能量,降低输出功率,严重的将会永久性破坏太阳能电池组件、甚至烧毁组件。因此,降低大尺寸组件的热斑温度,是迫切需要解决的问题。
目前,为了降低热斑温度,一种光伏组件采用散热铝背板结构对光伏组件进行散热。近年来,随着光伏组件发点效率的提高,逐渐开始采用双面光伏电池单元,即,不仅可以通过在光伏电池的正面接收太阳光发电,而且可以通过光伏电池的背面接收反射光或散射光发电。然而,这种铝背板结构由于铝层不透明,因此,当光伏组件采用双面电池单元时,铝层的遮挡将影响光伏组件的双面电池单元的背面的发电量。因此,迫切需要提供一种新型的结构来克服目前遇到的问题。
发明内容
本公开的至少一些实施例提供一种光伏组件,包括:电池层,所述电池层包括多个电池单元,所述多个电池单元以阵列布置并且配置为接收光并产生功率;和导热层,所述导热层由导热材料形成或包含导热材料,并与所述电池层热连通。所述导热层呈网状,包括骨架部分和由所述骨架部分围绕的镂空部分。并且,在所述光伏组件的厚度方向上,所述骨架部分的至少一部分与相邻电池单元之间的间隙重叠,所述镂空部分与所述电池单元重叠。
由于导热层包括至少部分地沿相邻电池之间的间隙延伸的骨架部分和与电池单元重叠的镂空部分。因此,一方面,能够沿着导热层的骨架部分将电池单元处的热量传导出去以降低热斑处的温度,另一方面,又能够允许光通过导热层的镂空部分透过光伏组件,而减小对光伏组件背面的光照量的影响。在保证光伏组件的发电效率的同时,提高了光伏组件的稳定性。
例如,在一些实施例中,所述光伏组件还包括第一背板,所述导热层夹置在所述第一背板和所述电池层之间。
例如,在一些实施例中,所述光伏组件还包括第一背板,所述导热层设置在所述第一背板的背离所述电池层的一侧上。
例如,在一些实施例中,所述光伏组件还包括导热层粘结层,所述导热层粘结层设置在所述第一背板和所述导热层之间以将所述导热层粘合到所述第一背板。
例如,在一些实施例中,所述光伏组件还包括第一粘结层,所述第一粘结层设置在所述第一背板和所述电池层之间以将所述电池层粘合到所述第一背板。
例如,在一些实施例中,所述导热层的所述骨架部分配置成能够反射光。
因此,导热层能够将照射到导热层上的光反射到电池单元,从而增强了光伏组件的发电效率。
例如,在一些实施例中,所述导热层的所述骨架部分为铝箔或铜箔。
铝箔和铜箔具有良好的导热特性,有利于导热层传导热量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的