[发明专利]对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种对准标记的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底(1)上形成鳍部(2)；

在所述鳍部(2)上形成标记参照部(8)，所述标记参照部(8)之间形成标记形成区(9)；

在所述标记形成区(9)的所述鳍部(2)上形成对准标记(10)。

2.根据权利要求1所述的对准标记的制备方法，其特征在于，所述对准标记(10)的材料为SiP或SiGe。

3.根据权利要求1所述的对准标记的制备方法，其特征在于，所述在所述鳍部(2)上形成标记参照部(8)，所述标记参照部(8)之间形成标记形成区(9)包括：

在所述衬底(1)和所述鳍部(2)上形成第一抗反射层(4)；

对所述第一抗反射层(4)图案化，其中，图案化的所述第一抗反射层(4)中，实体部分作为所述标记参照部(8)，镂空部分作为所述标记形成区(9)。

4.根据权利要求3所述的对准标记的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底(1)和所述鳍部(2)上形成第一抗反射层(4)之后，所述方法还包括：

在所述第一抗反射层(4)上依次形成第一旋涂式玻璃层(5)和第一光刻胶层(6)；

对所述第一光刻胶层(6)进行曝光、显影，以形成多个第一光刻遮挡部(7)；

所述对所述第一抗反射层(4)图案化包括：

去除所述第一旋涂式玻璃层(5)和所述第一抗反射层(4)对应于无所述第一光刻遮挡部(7)的投影位置的材料，形成所述标记形成区(9)。

5.根据权利要求4所述的对准标记的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一旋涂式玻璃层(5)和所述第一抗反射层(4)对应于无所述第一光刻遮挡部(7)的投影位置的材料，形成所述标记形成区(9)之后，所述方法还包括：

去除所述第一光刻遮挡部(7)和所述第一光刻遮挡部(7)覆盖的所述第一旋涂式玻璃层(5)的材料，形成所述标记参照部(8)。

6.根据权利要求5所述的对准标记的制备方法，其特征在于，所述标记参照部(8)位包覆于所述鳍部(2)的表面。

7.根据权利要求5所述的对准标记的制备方法，其特征在于，所述标记参照部(8)位于所述鳍部(2)的顶端。

8.根据权利要求1所述的对准标记的制备方法，其特征在于，所述对准标记(10)包括位于所述鳍部(2)上的竖向部和由所述竖向部横向延伸的延伸部。

9.根据权利要求8所述的对准标记的制备方法，其特征在于，相邻两个所述鳍部(2)上的所述对准标记(10)通过所述延伸部相互连接。

10.一种鳍式场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括权利要求1～9任一项所述的对准标记的制备方法。