[发明专利]对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法

说明书

本发明的实施例提供了一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。对准标记的制备方法包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部上形成标记参照部，标记参照部之间形成标记形成区；在标记形成区的鳍部上形成对准标记。该制备方法形成的对准标记的图形更加清晰，能够提高信号强度和测量准确性，有利于在半导体制程中形成微缩图案。该制备方法还适用于现有的鳍式场效应晶体管的制程中，具有良好的运用前景。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)制造涉及在半导体晶圆上形成具有图案的多个材料层，每一层都必须与先前的层对准，使得形成的电路适当地工作。因此，设计有多种对准标记，例如有一种对光标记，用于光掩模与半导体晶圆之间的对准，另一种迭对标记，用于半导体中层与层之间的对准。

随着半导体技术向着具有更小的部件尺寸的电路不断进步，对准要求变得更加严格。目前，鳍式场效应晶体管被广泛运用于芯片的制程中，以形成微缩图案。

因此，在鳍式场效应晶体管中制备对准标记，能够使对准标记的图形更加清晰，提高信号强度和测量准确性，这是目前急需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的包括提供了一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法，其能够使对准标记的图形更加清晰，提高信号强度和测量准确性。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明的实施例提供一种对准标记的制备方法，制备方法包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部上形成标记参照部，标记参照部之间形成标记形成区；在标记形成区的鳍部上形成对准标记。

在一种可选地实施例中，对准标记的材料为SiP或SiGe。

在一种可选地实施例中，在鳍部上形成标记参照部，标记参照部之间形成标记形成区包括：在衬底和鳍部上形成第一抗反射层；对第一抗反射层图案化，其中，图案化的第一抗反射层中，实体部分作为标记参照部，镂空部分作为标记形成区。

在一种可选地实施例中，在衬底和鳍部上形成第一抗反射层之后，方法还包括：在第一抗反射层上依次形成第一旋涂式玻璃层和第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光、显影，以形成多个第一光刻遮挡部；对第一抗反射层图案化包括：去除第一旋涂式玻璃层和第一抗反射层对应于无第一光刻遮挡部的投影位置的材料，形成标记形成区。

在一种可选地实施例中，去除第一旋涂式玻璃层和第一抗反射层对应于无第一光刻遮挡部的投影位置的材料，形成标记形成区之后，方法还包括：去除第一光刻遮挡部和第一光刻遮挡部覆盖的第一旋涂式玻璃层的材料，形成标记参照部。

在一种可选地实施例中，标记参照部位包覆于鳍部的表面。

在一种可选地实施例中，标记参照部位于鳍部的顶端。

在一种可选地实施例中，对准标记包括位于鳍部上的竖向部和由竖向部横向延伸的延伸部。

在一种可选地实施例中，相邻两个鳍部上的对准标记通过延伸部相互连接。

第二方面，本发明的实施例提供一种鳍式场效应晶体管的制备方法，制备方法包括第一方面的对准标记的制备方法。

本发明实施例提供的对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法的有益效果包括：

该制备方法通过在形成对准标记之前，先形成标记参照部和标记形成区，从而清晰地限定出对准标记形成的区域，使形成的对准标记的图形更加清晰，能够提高信号强度和测量准确性，有利于在半导体制程中形成微缩图案；该制备方法只是在现有鳍式场效应晶体管的制程中增加了形成标记参照部和标记形成区的步骤，使该制备方法能够适用于现有的鳍式场效应晶体管的制程中，具有良好的运用前景。