[发明专利]用于制造电子电路组件的方法以及电子电路组件在审
申请号: | 202010753952.6 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN112309877A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 彼得·拉姆 | 申请(专利权)人: | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485;H01L23/498 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 潘剑颖 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 电子电路 组件 方法 以及 | ||
1.一种用于制造电子电路组件的方法(1),包括:
提供(S1)第一电子组件(2),其中一个或多个第一电子组件结构(4)被构造在第一半导体基板(3)上,其中第一重布线装置(6)被构造在所述第一电子组件结构(4)的背离所述第一半导体基板(3)的侧部(5)上,并且其中一个或多个绝缘的第一支撑元件(9)和电连接到所述第一重布线装置(6)的一个或多个导电的第一触点(8)被构造在所述第一重布线装置(6)的背离所述第一半导体基板(3)的侧部(7)上;
提供(S2)第二电子组件(12),其中一个或多个第二电子组件结构(14)被构造在第二半导体基板(13)上,其中第二重布线装置(16)被构造在所述第二电子组件结构(14)的背离所述第二半导体基板(13)的侧部(15)上,并且其中一个或多个绝缘的第二支撑元件(19)和电连接到所述第二重布线装置(16)的一个或多个导电的第二触点(18)被构造在所述第二重布线装置(16)的背离所述第二半导体基板(13)的侧部(17)上;
构造(S3)连接结构(22),其中导电的第三触点(25)被构造在中介层基板(24)的主侧部(23)上,其中电连接到所述第三触点(25)的第三重布线装置(27)被构造在所述第三触点(25)的背离所述中介层基板(24)的侧部(26)上,并且其中电连接到所述第三重布线装置(27)的一个或多个导电的第四触点(29)、一个或多个绝缘的第三支撑元件(30)、电连接到所述第三重布线装置(27)的一个或多个导电的第五触点(31)、以及一个或多个绝缘的第四支撑元件(32)被构造在所述第三重布线装置(27)的背离所述中介层基板(24)的侧部(28)上;
将所述第一电子组件(2)和所述第二电子组件(12)连接(S4)到所述连接结构(22),其中所述第一触点(8)电连接到所述第四触点(29),其中所述第一支撑元件(9)机械连接到所述第三支撑元件(30),其中所述第二触点(18)电连接到所述第五触点(31),并且其中所述第二支撑元件(19)机械连接到所述第四支撑元件(32),使得所述第一电子组件(2)、所述第二电子组件(12)以及所述连接结构(22)电连接并且机械连接;
去除(S5)所述中介层基板(24)中位于所述中介层基板(24)的背离所述第三重布线装置(27)的侧部(35)上的一部分,使得所述第三触点(25)在所述第三触点(25)的背离所述第三重布线装置(27)的侧部(36)上暴露。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在去除(S5)所述中介层基板(24)的所述一部分时,所述第三触点(25)用作工艺停止件。
3.根据权利要求1所述的方法,其中在将所述第一触点(8)连接(S4)到所述第四触点(29)时和/或在将所述第二触点(18)连接(S4)到所述第五触点(31)时,使用金属键合方法。
4.根据权利要求1所述的方法,其中在将所述第一支撑元件(9)连接(S4)到所述第三支撑元件(30)时和/或在将所述第二支撑元件(19)连接(S4)到所述第四支撑元件(32)时,使用氧化物键合方法。
5.根据权利要求1所述的方法,其中将所述第一触点(8)连接(S4)到所述第四触点(29)以及将所述第一支撑元件(9)连接到所述第三支撑元件(30)是借助于第一混合键合方法同时执行的;和/或
其中将所述第二触点(18)连接到所述第五触点(31)以及将所述第二支撑元件(19)连接到所述第四支撑元件(32)是借助于第二混合键合方法同时执行的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造