[发明专利]用于制造电子电路组件的方法以及电子电路组件

说明书

提出了一种用于制造电子电路组件的方法，该方法包括：为第一电子组件提供一个或多个导电的第一触点和一个或多个绝缘的第一支撑元件；为第二电子组件提供一个或多个导电的第二触点和一个或多个绝缘的第二支撑元件；构造具有中介层基板、导电的第三触点、一个或多个导电的第四触点、一个或多个绝缘的第三支撑元件、一个或多个导电的第五触点、以及一个或多个绝缘的第四支撑元件的连接结构；将第一电子组件和第二电子组件连接到连接结构，其中第一触点电连接到第四触点，其中第一支撑元件机械连接到第三支撑元件，其中第二触点电连接到第五触点，并且其中第二支撑元件机械连接到第四支撑元件，使得第一电子组件、第二电子组件和连接结构电连接并且机械连接；去除中介层基板的一部分，使得第三触点暴露。

技术领域

本发明涉及一种用于制造三维电子电路组件，特别是三维集成电子电路组件的方法。三维集成被理解为电子组件的竖直机械连接和电连接。其中，三维集成电子电路组件的优点是，与二维系统相比，具有更高的封装密度和可实现的开关速度。后者一方面是由于各个电子组件之间的导电路径更短，并且另一方面是由于并行处理信息的可能性。

背景技术

关于三维集成，已知的是构造贯穿基板的竖直触点。这种贯穿触点被称为通孔。如果基板由硅制成，则通常使用术语“贯穿硅通孔TSV”。

在专利US 6,548,351中描述的所谓的3DIC技术以及其他技术是具有可自由选择的贯穿硅通孔的三维集成中的最新技术。

在3DIC集成中，在处理过程中在对应的组件中制造贯穿硅通孔。在这种情况下，已知的是在完成所谓的前端工艺之后但在所谓的后端工艺之前制造贯穿硅通孔。然而，对于生产，3DIC集成非常复杂且成本很高。

所谓的2.5D技术已经被确立为是一种用于两个或多个芯片的更具成本效益但不那么有力的集成技术。已经在批量生产中成功使用的对应集成技术省略了组件中的贯穿硅通孔，并使用贯穿硅通孔中介层，该中介层用作水平相邻的(即并排布置的)芯片之间的竖直重布线装置。与3DIC技术的附加生产工艺模块相比，处理这些贯穿硅通孔中介层可能是更具成本效益的，然而，由于它需要非常复杂的半导体工艺，特别是用于贯穿硅通孔的绝缘和金属化的高分辨率光刻、高度各向异性干蚀刻工艺以及复杂的沉积工艺，因此其仍然是高成本的。

对于大多数目标应用而言，制造和集成这些贯穿硅通孔中介层是过于昂贵的。

发明内容

本发明涉及一种用于制造电子电路组件的方法，包括：

提供第一电子组件，其中一个或多个第一电子组件结构被构造在第一半导体基板上，其中第一重布线装置被构造在第一电子组件结构的背离第一半导体基板的侧部上，并且其中一个或多个绝缘的第一支撑元件和电连接到第一重布线装置的一个或多个导电的第一触点被构造在第一重布线装置的背离第一半导体基板的侧部上；

提供第二电子组件，其中一个或多个第二电子组件结构被构造在第二半导体基板上，其中第二重布线装置被构造在第二电子组件结构的背离第二半导体基板的侧部上，并且其中一个或多个绝缘的第二支撑元件和电连接到第二重布线装置的一个或多个导电的第二触点被构造在第二重布线装置的背离第二半导体基板的侧部上；

构造连接结构，其中导电的第三触点被构造在中介层基板的主侧部上，其中电连接到第三触点的第三重布线装置被构造在第三触点的背离中介层基板的侧部上，并且其中电连接到第三重布线装置的一个或多个导电的第四触点、一个或多个绝缘的第三支撑元件、电连接到第三重布线装置的一个或多个导电的第五触点、以及一个或多个绝缘的第四支撑元件被构造在第三重布线装置的背离中介层基板的侧部上；

将第一电子组件和第二电子组件连接到连接结构，其中第一触点电连接到第四触点，其中第一支撑元件机械连接到第三支撑元件，其中第二触点电连接到第五触点，并且其中第二支撑元件机械连接到第四支撑元件，使得第一电子组件、第二电子组件以及连接结构电连接并且机械连接；