[发明专利]可挠性电子装置在审
申请号: | 202010757856.9 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN114071903A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 吴湲琳;谢佳宏 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H05K5/02 | 分类号: | H05K5/02;H05K5/00 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠性 电子 装置 | ||
1.一种可挠性电子装置,其特征在于,包括:
一基底层,该基底层具有一厚度T1以及一杨氏系数E1;
一电子元件,设置于该基底层上;以及
一覆盖层,设置于该电子元件上,该覆盖层具有一厚度T2以及一杨氏系数E2,其中该厚度T1、该厚度T2、该杨氏系数E1以及该杨氏系数E2符合下列关系式:
E2/E1≤156.21×(T2/T1)-4.28。
2.如权利要求1所述的可挠性电子装置,其特征在于,该电子元件包括一由铜制成的金属层。
3.如权利要求1所述的可挠性电子装置,其特征在于,该厚度T1、该厚度T2、该杨氏系数E1以及该杨氏系数E2还符合下列关系式:
E2/E1≤2.13×(T2/T1)-2.23。
4.如权利要求3所述的可挠性电子装置,其特征在于,该电子元件包括一由铜制成的金属层。
5.如权利要求1所述的可挠性电子装置,其特征在于,该厚度T1、该厚度T2、该杨氏系数E1以及该杨氏系数E2还符合下列关系式:
E2/E1≤18.33×(T2/T1)-3.15。
6.如权利要求5所述的可挠性电子装置,其特征在于,该电子元件包括一由铝制成的金属层。
7.如权利要求5所述的可挠性电子装置,其特征在于,该厚度T1、该厚度T2、该杨氏系数E1以及该杨氏系数E2还符合下列关系式:
E2/E1≤1.43×(T2/T1)-2.1。
8.如权利要求7所述的可挠性电子装置,其特征在于,该电子元件包括一由铝制成的金属层。
9.如权利要求1所述的可挠性电子装置,其特征在于,该厚度T1与该厚度T2符合下列关系式:
T2/T1≤5。
10.如权利要求1所述的可挠性电子装置,其特征在于,该电子元件为显示元件。
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