[发明专利]一种LED封装工艺及深紫外LED

权利要求书

1.一种LED封装工艺，其特征在于，包括：

将深紫外LED芯片固晶在封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上；

通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面镀上二氧化硅镀膜。

2.如权利要求1所述的一种LED封装工艺，其特征在于，所述二氧化硅镀膜的材料包括玻璃态SiO2及结晶态α-SiO2的一种或多种。

3.如权利要求1所述的一种LED封装工艺，其特征在于，所述将深紫外LED芯片固晶在封装支架上，将固定有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上，包括：

将所述深紫外LED芯片和配套芯片固晶在所述封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片和所述配套芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上；

所述通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面镀上二氧化硅镀膜，包括：

将所述深紫外LED芯片和配套芯片固晶在所述封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片和所述配套芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上。

4.如权利要求1所述的一种LED封装工艺，其特征在于，所述将深紫外LED芯片固晶在封装支架上，将固晶有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上，包括：

将所述深紫外LED芯片固晶所述封装支架上，将配套芯片固定在所述封装支架上且电连接于所述深紫外LED芯片，将固定有所述深紫外LED芯片和所述配套芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上；

所述通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面镀上二氧化硅镀膜，包括：

通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面、所述深紫外LED芯片的表面和所述配套芯片的表面镀上所述二氧化硅镀膜。

5.如权利要求1所述的一种LED封装工艺，其特征在于，所述通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的本体部分的表面镀上二氧化硅镀膜，包括：

通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的本体部分的表面镀上多层所述二氧化硅镀膜。

6.一种深紫外LED，其特征在于，包括深紫外LED芯片、封装支架、及二氧化硅镀膜；

所述深紫外LED芯片固晶在所述封装支架上；所述二氧化硅镀膜设在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面。

7.如权利要求6所述的一种深紫外LED，其特征在于，所述二氧化硅镀膜镀有多层。

8.如权利要求6所述的一种深紫外LED，其特征在于，所述深紫外LED还包括配套芯片，所述配套芯片固晶在所述封装支架上，所述二氧化硅镀膜还设在所述配套芯片的表面。

9.如权利要求6所述的一种深紫外LED，其特征在于，所述深紫外LED还包括配套芯片，所述配套芯片固定在所述封装支架上且电连接于所述深紫外LED芯片，所述二氧化硅镀膜还设在所述配套芯片的表面。

10.如权利要求6所述的一种深紫外LED，其特征在于，所述二氧化硅镀膜包括玻璃态SiO2膜及结晶态α-SiO2膜的一种或多种。