[发明专利]支撑基板及其用途

权利要求书

1.一种用于异质结构(200、400、400'、500')的支撑基板(210、410、510)，所述异质结构(200、400、400'、500')包括覆盖层(220、420、520)，所述覆盖层(220、420、520)具有第一热膨胀系数并被装配到所述支撑基板(210、410、510)，所述支撑基板(210、410、510)具有与所述第一热膨胀系数显著不同的第二热膨胀系数，其中，所述热膨胀系数中的至少一个显示出强各向异性，其中在交界面处，所述覆盖层(220、420、520)包括从所述交界面延伸到所述覆盖层(220、420、520)中的至少一个凹槽(240、340、440、540)。

2.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510)，其中，所述异质结构(200、400、400'、500')是压电结构。

3.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510)，其中，所述覆盖层(220、420、520)是压电材料层。

4.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510)，其中，所述至少一个凹槽(240、340、440、540)形成在整个所述覆盖层(220、420、520)上延伸的沟槽。

5.根据前述权利要求中任一项所述的支撑基板(210、410、510)，其中，所述覆盖层(220、420、520)的被所述至少一个凹槽(240、340、440、540)分隔开的部分具有小于预定临界长度的横向延伸，超过所述预定临界长度将发生由于在预定温度下的热处理而导致的破损。

6.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510)，其中，所述至少一个凹槽(240、340、440、540)延伸到所述覆盖层(220、420、520)的和与所述支撑基板(210、410、510)的所述交界面相反的表面。

7.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510)，其中，所述覆盖层(220、420、520)的材料在LTO、LNO、AlN、ZnO中进行选择。

8.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510)，其中，所述支撑基板(210、410、510)的材料在Si、Ge、GaAs、InP、SiGe、蓝宝石的组中进行选择。

9.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510)，其中，所述支撑基板(210、410、510)包括与所述交界面相邻的功能层(250)。

10.根据权利要求9所述的支撑基板(210、410、510)，其中，所述功能层(250)为所述支撑基板(210、410、510)提供高于1kOhm/cm的电阻率。

11.根据权利要求9所述的支撑基板(210、410、510)，其中，所述功能层(250)为所述支撑基板(210、410、510)提供高于5kOhm/cm的电阻率。

12.一种用于异质结构(200、400、400'、500')的支撑基板(210、410、510)，所述异质结构(200、400、400'、500')包括覆盖层(220、420、520)，所述覆盖层(220、420、520)具有第一热膨胀系数并被装配到所述支撑基板(210、410、510)，所述支撑基板(210、410、510)具有与所述第一热膨胀系数显著不同的第二热膨胀系数，其中，所述热膨胀系数中的至少一个显示出强各向异性，其中，所述支撑基板(210、410、510)包括与交界面相邻的功能层(250)，并且其中，所述功能层(250)为所述支撑基板(210、410、510)提供高于1kOhm/cm的电阻率。

13.一种支撑基板的用途，所述支撑基板是根据权利要求1-12中任一项所述的支撑基板(210、410、510)，所述支撑基板(210、410、510)用于表面声波装置。