[发明专利]支撑基板及其用途

说明书

本发明涉及支撑基板及其用途，尤其涉及一种用于异质结构(200、400、400'、500')的支撑基板(210、410、510)，该异质结构(200、400、400'、500')包括覆盖层(220、420、520)，该覆盖层(220、420、520)具有第一热膨胀系数并被装配到该支撑基板(210、410、510)，该支撑基板(210、410、510)具有与第一热膨胀系数显著不同的第二热膨胀系数，其中，所述热膨胀系数中的至少一个显示出强各向异性，其中在交界面处，覆盖层(220、420、520)包括从该交界面延伸到该覆盖层(220、420、520)中的至少一个凹槽(240、340、440、540)。

本申请是申请日为2016年6月9日，申请号为201680033898.X(国际申请号为PCT/EP2016/063198)，发明名称为“异质结构和制造异质结构的方法”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明总体上涉及支撑基板及其用途。

背景技术

射频(RF)表面声波(SAW)技术广泛用于各种应用，例如当前移动电话中的双工器。标准SAW技术的进一步改进导致了温度补偿的SAW装置的发展，以保持与RF体声波(BAW)技术的竞争力。

可以在压电结构100内获得温度补偿的SAW，如图1A中示意性地示出的，压电结构100包括装配到支撑基板110的压电材料层120，可选地，在支撑基板110与压电材料层120之间具有粘合剂层130。在由Hashimoto等人最近发表的文章“Recent development oftemperature compensated SAW devices”，Ultrasonics Symposium 2011，IEEEInternational，第79-86页中综述了温度补偿的SAW装置的最新发展，并且更详细地说明了图1A的方法。支撑基板110从而具有压电结构的加强功能。

然而，如图1A中示意性地示出的这样的压电结构100由于压电材料层120与支撑基板110各自的热膨胀系数(CTE)的显著差异而可能不适合经受热处理。这样的CTE不匹配在最坏的情况下可能是这种结构在高于预定阈值的温度下破裂的原因。例如压电材料层120中的屈曲的其它现象可能发生。此外，压电结构100的弯曲可能在热处理时超过临界值，例如高于该值静电卡盘可能失去与所述结构的接触。另外，由于各向异性应力的积累，大多数压电材料的CTE中的强各向异性使热处理变得困难。

图1B示意性地示出了US8664747中所公开的方法，其中在结构100'的与层120'的装配到基板110'的面相反的面上形成了凹槽140。在具有与层120'显著不同的CTE的基板110'上形成的层120'中的这样的凹槽的形成可以帮助适应在这样的结构100'中累积的应力。

然而，使用这种方法遇到了几个问题。尤其是对于具有在1-10μm范围内的相对较低厚度的层120'，必须注意，以便不损坏下面的与基板110'的交界面。例如锯切的不精确的方法可能导致基板110'的损坏(在其表面区域中留下破损的成核位置)或粘合剂层(图1B中未示出)的损坏。如果涉及后续的光刻和蚀刻步骤，这对结构110'是尤其不利的，这会导致层120'的显著的欠蚀刻。此外，基板110'可能需在其表面上装配一功能层，该功能层不应该被改变以便不失去其特定的性能。

本发明正是消除上述问题。

发明内容

具体地，本发明涉及一种异质结构(尤其是压电结构)，其包括覆盖层(尤其是压电材料层)，该覆盖层具有第一热膨胀系数，被装配到支撑基板，该支撑基板具有与所述第一热膨胀系数显著不同的第二热膨胀系数，在交界面处，其中所述覆盖层包括从该交界面延伸到该覆盖层中的至少一个凹槽。

其它有利的实施方式涉及异质结构，其中所述至少一个凹槽形成在整个覆盖层上延伸的沟槽。