[发明专利]一种点阵式红外热像产生方法

权利要求书

1.一种点阵式红外热像产生方法，包括上基板（3）以及下基板（4），所述上基板（3）以及所述下基板（4）上均安装有发热制冷单元（1），所述发热制冷单元（1）由N型半导体晶粒（6）、第一金属片（7）、第三金属片（8）、第二金属片（9）以及P型半导体晶粒（10）组成，所述第三金属片（8）底侧两端分别固定连接N型半导体晶粒（6）以及P型半导体晶粒（10），所述N型半导体晶粒（6）底端设置有第二金属片（9），所述P型半导体晶粒（10）底端设有第一金属片（7）。

2.根据权利要求1所述的一种点阵式红外热像产生方法，其特征在于：所述下基板（4）为一个整体，所述上基板（3）为点阵散片，基板可以是陶瓷板，也可以阳极氧化铝合金板，所述上基板（3）与下基板（4）之间焊接碲化铋粒子或其他具有帕尔帖效应的半导体粒子。

3.根据权利要求1所述的一种点阵式红外热像产生方法，其特征在于：所述发热制冷单元（1）一侧设有公共地（5），所述发热制冷单元（1）一侧设有独立输入端（2）。

4.根据权利要求1所述的一种点阵式红外热像产生方法，其特征在于：电子从电源负极出发，经第一金属片（7）、P型半导体（10）、第三金属片（8）、N型半导体（6）、第二金属片（9），回到电源的正极。但是P型半导体（10）的多数载流子为空穴，其空穴电流方向与电子相反。而空穴在金属中所具有能量低于在P型半导体（10）中所具有的能量。因此空穴在电场的作用下由第三金属片（8）通过结点到达P型半导体（10）时，必须增加一部分能量。但是空穴自身无法增加能量，只有从第三金属片（8）处吸收能量，并且把这部分热能转变成空穴的势能，因而使第三金属片（8）处的温度降低。而当空穴沿P型半导体（10）经结点流向第一金属片（7）时，由于P型半导体（10）中空穴能量大于第一金属片（7）中空穴的能量，因而空穴要释放出多余的势能，并且将其转变为热能释放出来，则使第一金属片（7）处温度升高。右半部分是由N型半导体（6）与第三金属片（8）和第二金属片（9）相连。N型半导体（6）的多数载流子为电子，而电子在金属片中的势能低于在N型半导体（6）中所具有的势能。在电场的作用下，电子从第三金属片（8）通过结点到达N型半导体（6）时必然要增加势能，而这部分势能只能从第三金属片（8）处取得，结果第三金属片（8）处的温度必然会降低。而当电子从N型半导体（6）经结点流向第二金属片（9）时，因电子由势能高处流向势能低处，因此在第二金属片（9）处释放能量，使之转变为热能释放出来，则使第二金属片（9）处温度升高。