[发明专利]制造半导体器件的方法及对应的半导体器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

将至少一个半导体裸片布置在支撑表面上；

将激光直接成型材料成型到其上布置有所述至少一个半导体裸片的所述支撑表面上；

对成型到其上布置有至少一个半导体裸片的所述支撑表面上的所述激光直接成型材料进行激光束加工，以针对布置在所述支撑表面上的所述至少一个半导体裸片提供导电结构；

形成可润湿侧面，所述可润湿侧面从与所述导电结构相对的所述激光直接成型材料的表面部分地延伸到所述激光直接成型材料中；和

将设置有所述导电结构的所述至少一个半导体裸片与所述支撑表面分离。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：

将另一激光直接成型材料成型到设置有所述导电结构的所述至少一个半导体裸片上；和

对所述另一激光直接成型材料进行激光束加工，以针对所述至少一个半导体裸片提供另一导电结构。

3.根据权利要求2所述的方法，包括通过对所述另一激光直接成型材料重复执行成型，并且对所述另一激光直接成型材料重复执行激光束加工，来针对所述至少一个半导体裸片形成导电结构的多个层的堆叠布置。

4.根据权利要求1所述的方法，包括，在将设置有所述导电结构的所述至少一个半导体裸片与所述支撑表面分离后：

将附加的激光直接成型材料成型到与所述导电结构相对的所述至少一个半导体裸片上；和

对所述附加的激光直接成型材料进行激光束加工，以针对与所述导电结构相对的所述至少一个半导体裸片提供附加的导电结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在将设置有所述导电结构的所述至少一个半导体裸片与所述支撑表面分离后，形成所述可润湿侧面被执行，并且所述形成所述可润湿侧面包括对与所述导电结构相对的所述激光直接成型材料进行激光束加工，从而在其中提供所述可润湿侧面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光束加工包括：

应用激光束能量以提供至少一个导电结构图案；和

将导电材料应用到所述至少一个导电结构图案上。

7.一种半导体器件，包括：

设置有根据权利要求1所述的方法形成的导电结构的至少一个半导体裸片；和

成型到所述至少一个半导体裸片上的封装成型材料，所述封装成型材料将所述至少一个半导体裸片和其上提供的所述导电结构的至少一部分进行包封。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述导电结构中的至少一些导电结构延伸通过所述激光直接成型材料。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中对所述激光直接成型材料进行激光束加工包括在所述激光直接成型材料中形成腔，并且所述导电结构包括所述激光直接成型材料中的腔的表面上的导电材料。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，包括：

成型到所述至少一个半导体裸片上的附加的激光直接成型材料的一层；和

在附加的激光直接成型材料的所述一层上的第二导电结构。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二导电结构中的至少一些导电结构延伸通过附加的激光直接成型材料的所述一层。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述导电结构通过所述至少一个半导体裸片与所述第二导电结构分隔开。