[发明专利]一种全有机高介电、高击穿强度PVDF基介电薄膜制备方法

权利要求书

1.一种全有机高介电、高击穿强度PVDF基介电薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10，制备改性的聚偏氟乙烯，即MD-PVDF：

加入蒸馏水100份于圆底烧瓶中，加入氢氧化钠3～10份溶解；

再加入聚乙烯吡咯烷酮0.1～1份，聚偏氟乙烯，即PVDF，3～10份，在500～1000rmp转速下磁力搅拌溶解得到澄清的溶液；

溶液在50～80℃反应3～24h，反应物过滤采用蒸馏水洗涤3～5次，并于100～120℃干燥12～24h，即可得到MD-PVDF；

S20，制备交联的聚偏氟乙烯，即XL-PVDF：

称取N,N-二甲基甲酰胺，即DMF，100份于圆底烧瓶中，加入S10中制备的改性的聚偏氟乙烯3～10份，在500～1000rmp转速下磁力搅拌溶解得到澄清的溶液；

加入偶氮二异丁腈0.1～1份，于50～100℃油浴锅中搅拌回流8～24h；

反应结束后，冷却到室温，反应物过滤采用无水乙醇洗涤3～5次，得到交联结构产物；

于100～120℃干燥12～24h，即可得到具有交联结构的聚偏氟乙烯，即XL-PVDF；

S30，制备PVDF/XL-PVDF介电薄膜：

将0～10份PVDF加入圆底烧瓶中，加入1～10份的XL-PVDF，加入100份DMF，常温下搅拌3～6h，并进行20～30min的超声分散；

将溶解的PVDF/XL-PVDF溶液置于真空干燥箱中，100～120℃下干燥12～24h，制成真空干燥薄膜；

将真空干燥薄膜剪下置于粉末压片机内，模板温度设置为160～190℃、压强2～4MPa，保温保压1～3h；

保温保压结束后，将温度调至50～80℃，再保温1～6h后自然降温，降到室温后取出，即可得到PVDF/XL-PVDF介电薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S30中制备完成的PVDF/XL-PVDF介电薄膜厚度为20-40μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备改性的聚偏氟乙烯，为加入蒸馏水100份于圆底烧瓶中，加入氢氧化钠3份溶解；再加入聚乙烯吡咯烷酮0.1份，PVDF3份，在500rmp转速下磁力搅拌溶解得到澄清的溶液，溶液在50℃反应3h，反应物过滤采用蒸馏水洗涤3次，并于100℃干燥12h，得到改性的聚偏氟乙烯，即MD-PVDF。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备交联的聚偏氟乙烯，为称取DMF100份于圆底烧瓶中，加入制备好的MD-PVDF3份，在500rmp转速下磁力搅拌溶解得到澄清的溶液；加入偶氮二异丁腈0.1份，于50℃油浴锅中搅拌回流8h；反应结束后，冷却到室温，反应物过滤采用无水乙醇洗涤3次，得到交联结构产物，于100℃干燥12h，即得到具有交联结构的聚偏氟乙烯，即XL-PVDF。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备PVDF/XL-PVDF介电薄膜，为将0份PVDF加入圆底烧瓶中，加入1份的XL-PVDF，加入100份DMF，常温下搅拌3h，并进行20分钟的超声分散；将溶解的PVDF/XL-PVDF溶液置于真空干燥箱中，10℃下干燥12h得到真空干燥薄膜；剪下置于粉末压片机内，模板温度设置为160℃、压强2MPa，保温保压1h；保温保压结束后，将温度调至50℃保温1h，然后自然降温，降到室温后取出，即可得到PVDF/XL-PVDF介电薄膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述PVDF/XL-PVDF介电薄膜厚度为20μm。