[发明专利]一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关有效
申请号: | 202010852605.9 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN111983827B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 王钦华;袁志豪;曹冰;熊先杰;何耿;周浩;罗安林;陈王义博;徐立跃 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G02F1/09 | 分类号: | G02F1/09;G02F1/01 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 宫建华 |
地址: | 215000*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 吸收 增强 红外 波段 开关 | ||
1.一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关,包括:衬底,以及覆盖在所述衬底上的调制层,其特征在于:
所述调制层上通过光刻-镀膜设有介质层和金属纳米圆柱阵列,所述金属纳米圆柱阵列作为电极一,所述调制层上通过镀膜设有电极二,所述调制层为石墨烯层,至少一层所述石墨烯层直接生长或者转移至所述衬底上,所述石墨烯层上施加有垂直方向的直流偏置电压;
所述介质层的材料为光刻胶,所述光刻胶通过旋涂机旋涂于调制层的上方,形成一层均匀的光刻胶薄膜,通过二次双光束全息光刻工艺形成所述介质层;
所述金属纳米圆柱阵列的材料为金属铝;
所述电极二沉积在未被所述纳米圆柱阵列覆盖的所述调制层的上方。
2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关,其特征在于:利用镀膜工艺将所述金属铝均匀地沉积于所述介质层的上表面,且完全覆盖并包裹住介质层。
3.根据权利要求2所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关,其特征在于:所述金属纳米圆柱阵列按二维阵列排列。
4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关,其特征在于:所述电极二的材料为金、银或铜金属。
5.根据权利要求4所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关,其特征在于:所述衬底的材料为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关,其特征在于:所述光开关的调制深度定义为:其中Ron和Roff分别为光开关打开和关闭时的反射率。
7.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关,其特征在于:所述介质层的厚度为190nm。
8.根据权利要求7所述的一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关,其特征在于:所述金属纳米圆柱阵列的周期为250nm,直径为200nm。
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