[发明专利]集成电路的制作方法在审

专利信息
申请号: 202010888477.3 申请日: 2020-08-28
公开(公告)号: CN112447528A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 萧志民;赖建文;刘如淦;赖志明;苏伟硕;张育祯 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 制作方法
【权利要求书】:

1.一种制造集成电路的方法,其特征在于,包含:

以一第一微影制程形成多个第一间隔物于位在一基材上的一硬遮罩上,该些第一间隔物定义第一开口,该些第一开口对应于用于一单位晶胞的第一及第二电源线路与该单位晶胞位于该第一及第二电源线路之间的第一及第二信号线的一图案;

形成一第二间隔物于该硬遮罩上以于该第二间隔物与该些第一间隔物中的两者之间定义第二开口,其中该些第二开口对应于用于该单位晶胞位于该第一及第二电源线路之间的第三及第四信号线的一图案,其中形成该第二间隔物包含:

沉积一自组装材料于该些第一间隔物中的该两者之间,其中该自组装材料自组装成一第一材料以及一第二材料;

相对于该第一材料选择性地移除该第二材料;以及

形成该第二间隔物于移除该第二材料所遗留下的一间隙中。

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