[发明专利]集成电路的制作方法在审
申请号: | 202010888477.3 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112447528A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 萧志民;赖建文;刘如淦;赖志明;苏伟硕;张育祯 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 制作方法 | ||
1.一种制造集成电路的方法,其特征在于,包含:
以一第一微影制程形成多个第一间隔物于位在一基材上的一硬遮罩上,该些第一间隔物定义第一开口,该些第一开口对应于用于一单位晶胞的第一及第二电源线路与该单位晶胞位于该第一及第二电源线路之间的第一及第二信号线的一图案;
形成一第二间隔物于该硬遮罩上以于该第二间隔物与该些第一间隔物中的两者之间定义第二开口,其中该些第二开口对应于用于该单位晶胞位于该第一及第二电源线路之间的第三及第四信号线的一图案,其中形成该第二间隔物包含:
沉积一自组装材料于该些第一间隔物中的该两者之间,其中该自组装材料自组装成一第一材料以及一第二材料;
相对于该第一材料选择性地移除该第二材料;以及
形成该第二间隔物于移除该第二材料所遗留下的一间隙中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造